[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理装置，其能够抑制基板的周缘附近的温度提高。实施方式所涉及的基板处理装置具备：放置台，呈板状且可旋转；多个支撑部，设置于所述放置台的一个面且可支撑基板；冷却部，能够向所述放置台与被所述支撑部所支撑的所述基板的背面之间的空间供给冷却气体；液体供给部，能够向所述基板的表面供给液体；及至少1个突起部，设置于所述放置台的一个面，俯视观察时沿着所述基板的设置区域的边界线延伸。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种基板处理装置。

背景技术

作为除去附着于压印用模板、光刻用掩模、半导体晶片等基板的表面的颗粒等污染物的方法，提出了冻结清洗法。

冻结清洗法中，例如当作为清洗中使用的液体而使用纯水时，首先，向进行旋转的基板的表面供给纯水和冷却气体。接下来，停止纯水的供给，排出被供给的纯水的一部分而在基板的表面上形成水膜。水膜因供向基板的冷却气体而被冻结。当水膜发生冻结而形成冰膜时，颗粒等污染物因进入冰膜而从基板的表面分离。接下来，向冰膜供给纯水而溶化冰膜，与纯水一起从基板的表面除去污染物。

但是，由于基板的周缘附近不仅在垂直于基板面的方向上而且在平行于基板面的方向上也邻接于外部环境，因此来自外部的热量输入量较多。因此，基板的周缘附近与基板的中央区域相比温度更容易提高。如果基板的周缘附近的温度较高，则在基板的周缘附近的冰膜的形成被抑制，有可能在基板的周缘附近的污染物的除去率下降。

于是，希望开发出一种基板处理装置，其能够抑制基板的周缘附近的温度提高。

专利文献

专利文献1：日本国特开2018-026436号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基板处理装置，其能够抑制基板的周缘附近的温度提高。

实施方式所涉及的基板处理装置具备：放置台，呈板状且可旋转；多个支撑部，设置于所述放置台的一个面且可支撑基板；冷却部，能够向所述放置台与被所述支撑部所支撑的所述基板的背面之间的空间供给冷却气体；液体供给部，能够向所述基板的与所述背面相反一侧的表面供给液体；及至少1个突起部，固定设置于所述放置台的一个面，俯视观察时沿着所述基板的设置区域的边界线延伸。

根据本发明的实施方式，可提供一种基板处理装置，其能够抑制基板的周缘附近的温度提高。

附图说明

图1是用于例示本实施方式所涉及的基板处理装置的模式图。

图2(a)是图1中的放置部的A-A线方向的模式图，(b)是用于例示其他实施方式所涉及的支撑部的模式图。

图3(a)～(c)是用于例示其他实施方式所涉及的突起部的配置的模式图。

图4(a)、(b)是用于例示突起部的顶部的位置的模式图。

图5是用于例示比较例所涉及的放置台的模式图。

图6(a)、(b)是用于例示其他实施方式所涉及的突起部的模式图。

图7是用于例示基板处理装置的作用的时间图。

图8是用于例示其他实施方式所涉及的基板处理装置的模式图。

符号说明

1-基板处理装置；1a-基板处理装置；2-放置部；2a-放置台；2a1-支撑部；2a2-支撑部；2a3-突起部；2aa-孔；2b-旋转轴；2c-驱动部；3-冷却部；3a-冷却液部；3a1-冷却气体；3d-冷却喷嘴；4-第1液体供给部；5-第2液体供给部；6-框体；9-控制部；10-气体供给部；10d-气体；100-基板；100a-背面；100b-表面；101-液体；102-液体。

具体实施方式