[发明专利]具有包含静态及动态单元的混合高速缓冲存储器的存储器装置及电子系统以及相关方法有效
申请号: | 202110346710.X | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN112905500B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;S·K·瑞特南;P·菲利;M·G·米勒;C·S·哈立;R·C·帕迪拉 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F12/0873 | 分类号: | G06F12/0873 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 包含 静态 动态 单元 混合 高速 缓冲存储器 存储器 装置 电子 系统 以及 相关 方法 | ||
本申请涉及具有包含静态及动态单元的混合高速缓冲存储器的存储器装置及电子系统以及相关方法。一种操作存储器装置的方法包含:将存储器阵列划分成SLC块的第一部分及XLC块的第二部分;将主机数据的至少一部分存储到作为静态高速缓冲存储器的SLC块的所述第一部分中;及响应于确定主机数据突发大于所述静态高速缓冲存储器可处置的量而将所述主机数据的至少另一部分存储到在SLC模式中作为动态高速缓冲存储器的XLC块的所述第二部分中。
本申请是申请日为2017年08月25日、申请号为201780057208.9、发明名称为“具有包含静态及动态单元的混合高速缓冲存储器的存储器装置及电子系统以及相关方法”的发明专利申请的分案申请。
本申请案主张于2016年9月19日提出申请的标题为“具有包含静态及动态单元的混合高速缓冲存储器的存储器装置及电子系统以及相关方法(MEMORY DEVICES ANDELECTRONIC SYSTEM HAVING A HYBRID CACHE WITH STATIC AND DYNAMIC CELLS,ANDRELATED METHODS)”的美国专利申请案第15/269,518号的申请日期的权益。
技术领域
在各种实施例中,本发明一般来说涉及计算机系统及大容量存储装置的领域。更具体来说,本发明涉及包含自适应混合高速缓冲存储器的大容量存储装置,所述自适应混合高速缓冲存储器在操作期间包含静态高速缓冲存储器及动态高速缓冲存储器两者。
背景技术
非易失性存储器通常用于(例如)消费性电子装置内的大容量数据存储。各种类型的大容量存储装置当前正在使用中,例如固态装置(SSD)、硬盘驱动器(HDD)及混合驱动器。快闪存储器装置(例如,SSD)已发展成用于宽广范围的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器的常见用途包含个人计算机、快闪驱动器、数码相机及蜂窝式电话。程序代码及系统数据(例如基本输入/输出系统(BIOS))也存储于快闪存储器装置中以供在个人计算机系统中使用。
常规快闪存储器装置可包含组织成存储器块的存储器单元阵列,所述存储器块可在逐块基础上被擦除(及在逐页基础上被重新编程)。快闪存储器可通过包含多电平单元(MLC)、三电平单元(TLC)、四电平单元(QLC)等或其组合而实现较高水平的存储容量,其中存储器单元具有使得较多位(即,数据值)能够被存储的多个电平。举例来说,在单电平单元(SLC)中,可存在两个状态,使得每单元仅一个位可被存储。MLC可经配置以每单元存储两个位,TLC可经配置以每单元存储三个位,QLC可经配置以每单元存储四个位等等。可取决于所涉及单元的类型而在不同可能模式中写入块。举例来说,可使用QLC模式、TLC模式、MLC模式或甚至SLC模式写入到QLC。因此,在QLC模式中写入到QLC可导致四个位被存储于所述QLC中,在TLC模式中写入到QLC可导致三个位被存储于所述QLC中,在MLC模式中写入到QLC可导致两个位被存储于所述QLC中,在SLC模式中写入到QLC可导致一个位被存储于所述QLC中。可在不同模式中以类似方式对其它单元类型进行编程。在SLC模式中写入到QLC/TLC/MLC可比在QLC/TLC/MLC模式中写入快;然而,其代价是因未使QLC/TLC/MLC单元的能力最大化而写入到所述QLC/TLC/MLC单元减小了存储器装置的存储容量。
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