[发明专利]一种MoS2

说明书

本发明提供了一种MoSsubgt;2/subgt;/SnSesubgt;2/subgt;/H‑TiOsubgt;2/subgt;异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiOsubgt;2/subgt;纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSesubgt;2/subgt;纳米片，得到SnSesubgt;2/subgt;/H‑TiOsubgt;2/subgt;异质结；(3)将得到的SnSesubgt;2/subgt;/H‑TiOsubgt;2/subgt;异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoSsubgt;2/subgt;(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSesubgt;2/subgt;/H‑TiOsubgt;2/subgt;异质结上复合MoSsubgt;2/subgt;，得到了MoSsubgt;2/subgt;/SnSesubgt;2/subgt;/H‑TiOsubgt;2/subgt;异质结。本发明方法制得到的MoSsubgt;2/subgt;/SnSesubgt;2/subgt;/H‑TiOsubgt;2/subgt;异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

技术领域

本发明属于异质结光电探测器件的技术领域，具体涉及一种 MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器及其制备方法。

背景技术

光电探测器的原理是将被检测物的物理特征转化为光信号，检测光信号的特性及变化，然后通过对光信号数据的处理得到被检物的各项信息。在我们日常生活中使用的许多设备的关键部分都是由它组成的。硅光电探测器是生活中最常用到的，具有器件小型化及可扩展性，但硅光电探测器受到硅作为光吸收材料的限制(其约1.1eV的间接带隙限制了对电磁波谱的可见光和近红外部分的吸收)而降低了效率，所以需要发展新颖的纳米级半导体材料来克服硅光电探测器带来的限制。

一维纳米线(管)/二维异质结构阵列已被广泛研究，并在光电探测器，催化和气体传感器等各个领域取得了很大进展。由于一维结构的光捕获效应，一维纳米线(管)可以有效地将吸收的光子转换为电子-空穴对，而一维纳米线(管) /二维异质结构中的电子受体和转运体可以帮助电子-空穴对分离来提高光电器件的响应速率。二维材料可以通过改变尺寸、插层、异质结构、合金化和光调谐来进行带隙调谐，这对提高阵列器件的性能和获得最佳性能至关重要。二维 SnSe₂、MoS₂纳米材料具有大的表面积及对光较大的敏感性，在光照及偏压的共同作用下可产生较多自由电子。TiO₂纳米管紫外探测器可探测的波长范围较窄，为了增大其探测范围我们制备了MoS₂/SnSe₂/TiO₂异质结并作为紫外-可见光电探测器材料。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器的制备方法，解决现有光电探测器光响应度较低、探测范围窄的不足。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：

(1)以钛片为基底，采用阳极氧化法制备TiO₂纳米管；

(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe₂纳米片：分别以硒粉和 SnCl₄·5H₂O作为Se源和Sn源，在氩气和氢气混合气体的环境下，在TiO₂纳米管上生长SnSe₂纳米片，待管式炉降至室温后得到SnSe₂/H-TiO₂异质结；