[发明专利]一种MoS2

权利要求书

1.一种MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：

（1）以钛片为基底，采用阳极氧化法制备TiO₂纳米管；

（2）使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe₂纳米片：分别以硒粉和SnCl4•5H2O作为Se源和Sn源，在氩气和氢气混合气体的环境下，在TiO₂纳米管上生长SnSe₂纳米片，待管式炉降至室温后得到SnSe₂/H-TiO₂异质结；

（3）将得到的SnSe₂/H-TiO₂异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS₂在室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe₂/H-TiO₂异质结上复合MoS₂，得到了MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结。

2.根据权利要求1所述MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤（2）中硒粉和SnCl4•5H2O的质量比为0.3-0.5： 0.2-0.4。

3.根据权利要求1所述MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤（2）中在双温区真空气氛管式炉进行SnSe₂纳米片的生长，具体操作如下：将硒粉放入位于上游中心加热区的一个石英舟中，将SnCl₄·5H₂O固体置于位于双温区管式炉下游中心加热区的另一个石英舟中并且石英舟置于下游加热区域上端，距离下游加热中心5 cm处；将步骤（1）中得到的TiO₂纳米管置于下游区域的末端，距离下游加热中心7 cm。

4.根据权利要求3所述MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，双温区真空气氛管式炉上游加热至温度为300-500 ℃，升温速率为6-8 ℃/min，下游加热至温度为400-600 ℃，两边同时升温到达设定温度，保温时间为10-30 min。

5.根据权利要求4所述MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，通入氩气排除空气操作如下：加热过程前，通入氩气时间为30min；升温过程中的气路系统氩气流量设置为80s.c.c.m，保温阶段通入氩气和氢气的混合气体，将氩气流量切换为60s.c.c.m，氢气流量切换为20s.c.c.m，降温阶段只通入氩气，流量为80s.c.c.m。

6.根据权利要求1所述MoS₂/SnSe₂/H-TiO₂异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，磁控溅射的功率300 W，压强1 Pa。