[发明专利]存储器及其操作方法、装置、存储介质

说明书

本发明实施例提供了一种存储器及其操作方法、装置、存储介质。其中，存储器包括：存储单元阵列、电容控制电路及页缓冲器，其中：所述存储单元阵列，包括多个存储单元；所述电容控制电路，用于实现对感测电容的电容值的调制；所述页缓冲器包括所述感测电容，所述感测电容用于利用调制的电容值将待读取存储单元产生的沟道电流转化为单位时间内的电压变化；所述页缓冲器，用于根据所述感测电容上的电压变化，确定是否读取所述待读取存储单元实际存储的数据。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器及其操作方法、装置、存储介质。

背景技术

随着信息社会的不断发展，各行业对高密度的存储器的需求日益增长，与此同时，对信息的保密性也提出了新的要求。因此，亟待提出一种存储器在不影响正常存储数据的前提下，能够实现存储信息的保密性。

发明内容

为解决现有存在的技术问题，本发明实施例提出一种存储器及其操作方法、装置、存储介质。

本发明实施例提供了一种存储器，包括：存储单元阵列、电容控制电路及页缓冲器，其中：

所述存储单元阵列，包括多个存储单元；

所述电容控制电路，用于实现对感测电容的电容值的调制；

所述页缓冲器包括所述感测电容，所述感测电容用于利用调制的电容值将待读取存储单元产生的沟道电流转化为单位时间内的电压变化；

所述页缓冲器，用于根据所述感测电容上的电压变化，确定是否读取所述待读取存储单元实际存储的数据。

上述方案中，所述页缓存器，还用于确定读取所述待读取存储单元的实际存储的数据后，根据所述电压变化，确定所述待读取存储单元的存储状态。

上述方案中，所述页缓存器，还用于确定不读取所述待读取存储单元实际存储的数据时，输出随机数。

上述方案中，所述页缓冲器，具体用于当所述电压变化满足第一预设条件时，确定读取所述待读取存储单元实际存储的数据；当所述电压变化不满足第一预设条件时，确定不读取所述待读取存储单元实际存储的数据；所述调制的电容值为预设值时，所述感测电容的电压变化满足第一预设条件。

上述方案中，所述存储器包括多个页缓冲器；其中，所述多个页缓冲器对应的多个感测电容对应的电容值的预设值相同或不同。

上述方案中，所述感测电容包括铁电电容。

上述方案中，所述电容控制电路，具体用于：根据接收到的第一信号，产生第一电压；在所述感测电容上施加所述第一电压，以使所述感测电容的电容值调制至第一值；所述第一信号表征所述待读取存储单元对应的感测电容的目标电容值。

上述方案中，所述存储器包括三维NAND型存储器。

上述方案中，所述存储器包括设置在第一衬底上的所述存储单元阵列、设置在第二衬底上的所述电容控制电路及所述页缓冲器；其中，所述第一衬底和所述第二衬底通过键合连接。

本发明实施例又提供了一种存储器的操作方法，所述存储器包括：存储单元阵列、电容控制电路及页缓冲器；所述操作方法包括：

控制所述电容控制电路调制感测电容的电容值至第一值；

控制所述页缓冲器中的感测电容利用调制的电容值将所述储单元阵列中待读取存储单元产生的沟道电流转化为单位时间内的电压变化；

控制所述页缓存器根据所述感测电容上的电压变化，确定是否读取所述待读取存储单元实际存储的数据。

上述方案中，所述方法还包括：确定读取所述待读取存储单元的实际存储的数据后，根据所述电压变化，确定所述待读取存储单元的存储状态。