[发明专利]图像感测装置在审
申请号: | 202110338974.0 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN113921547A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 杨允熙;朴泰奎;朴东彬 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 装置 | ||
一种图像感测装置包括:半导体基板,其被构造为包括像素区域和外围区域,该像素区域包括多个单位像素,该外围区域位于所述像素区域外部;多个微透镜,其在所述像素区域中设置在半导体基板上方;结构加强层,其在所述外围区域中设置在半导体基板上方;以及透镜覆盖层,其被构造为覆盖所述结构加强层的至少一部分和所述微透镜。所述结构加强层包括多个指状物,每个指状物在垂直方向上被构造为具有倒圆的上端并且朝向所述像素区域横向延伸以具有预定长度。指状物在横向方向上连续布置并彼此连接,并且指状物的侧表面与紧邻的指状物的侧表面接触。
技术领域
该专利文件中所公开的技术和实现总体上涉及图像感测装置。
背景技术
图像传感器用在电子装置中以将光图像转换成电信号。随着汽车、医疗、计算机和通信行业的最新发展,在例如,数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、视频游戏机、监控相机、医疗微型相机、机器人等的各种装置中,对高度集成的、更高性能的图像传感器的需求不断增长。
发明内容
所公开技术的实施方式涉及一种图像感测装置,其包括不容易剥离的透镜覆盖层,从而防止了在透镜覆盖层已被剥离的情况下在透镜层中将发生的闪烁(flare)现象。
在所公开技术的一些实施方式中,一种图像感测装置包括加强结构,以即使在用于图案化透镜覆盖层的蚀刻工艺期间透镜层被损坏的情况下也防止对位于透镜层下部的遮光层的损坏。
根据所公开技术的一个实施方式,一种图像感测装置可以包括:半导体基板,该半导体基板被构造为包括像素区域和外围区域,该像素区域包括多个单位像素,该外围区域位于所述像素区域外部;多个微透镜,所述多个微透镜在所述像素区域中设置在半导体基板上方;结构加强层,该结构加强层在所述外围区域中设置在半导体基板上方;以及透镜覆盖层,该透镜覆盖层被构造为覆盖所述结构加强层的至少一部分和所述多个微透镜。所述结构加强层可以包括:多个指状物(finger),每个指状物在垂直方向上被构造为具有倒圆的上端并且朝向所述像素区域横向地延伸以具有预定长度。所述多个指状物可以在横向方向上连续地布置并彼此连接,并且指状物的侧表面与紧邻的指状物的侧表面接触。
根据所公开技术的另一实施方式,一种图像感测装置可以包括:平坦化层,该平坦化层形成在下结构上方,该下结构包括被构造为检测入射光以输出指示所述入射光的图像的电信号的传感器像素;多个微透镜,所述多个微透镜设置在所述平坦化层上方以将入射光会聚在所述传感器像素上;结构加强层,该结构加强层设置在所述平坦化层上方以围绕所述多个微透镜;以及透镜覆盖层,该透镜覆盖层设置在所述多个微透镜和所述结构加强层上方。所述结构加强层可以包括多个指状物,每个指状物具有主体部,该主体部在短轴方向上具有曲率并且在与所述短轴方向垂直的长轴方向上没有曲率地延伸到预定长度。所述多个指状物可以彼此相邻地连续布置。
应当理解,所公开技术的以上一般描述和以下详细描述都是说明性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
当结合附图考虑以下详细描述时,所公开技术的上述特征和其它特征以及有益方面将变得显而易见。
图1是示出基于所公开技术的一些实现的图像感测装置的示例布局的示意图。
图2是示出基于所公开技术的一些实现的沿着图1所示的线X1-X1’截取的图像感测装置的示例的截面图。
图3A是示出基于所公开技术的一些实现的沿着图1所示的线Y1-Y1’截取的图像感测装置的示例的截面图。
图3B是示出基于所公开技术的一些实现的沿着图1所示的线Y2-Y2’截取的图像感测装置的示例的截面图。
图4是示出基于所公开技术的一些实现的将防剥离结构中的每个指状物的区域分类为主体部和边缘部的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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