[发明专利]利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

S1：利用SnO₂纳米晶、造孔剂PVP和超纯水制备介孔前驱液并搅拌均匀；

S2：将设定量的介孔前驱液在基底上涂抹均匀；

S3：将涂抹均匀的基底进行25℃～200℃退火处理并持续第一设定时间得到SnO₂-PVP薄膜；

S4：将得到的SnO₂-PVP薄膜降至室温后浸泡于异丙醇中并洗涤第二设定时间以移除造孔剂；

S5：将洗涤后的薄膜进行干燥处理。

2.根据权利要求1所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，在步骤S2中，将介孔溶液在基底上涂抹均匀的方式为旋涂、喷涂、打印或刮涂。

3.根据权利要求2所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，在步骤S2中，采用旋涂方式在基底上涂抹介孔溶液，具体为：以第一转速旋涂第三设定时间立即再以第二转速旋涂第四设定时间，其中，第二转速大于第一转速，第四设定时间大于第三设定时间。

4.根据权利要求3所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，基底的长度为15～40mm，基底的宽度为15～40mm，第一转速为600～1500rpm，第二转速为1500～4000rpm，第三设定时间为6～9s，第四设定时间为20～60s。

5.根据权利要求4所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，在步骤S2中，设定量为20～200μL/cm²。

6.根据权利要求2所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，在步骤S2中，采用喷涂方式在基底上涂抹介孔溶液，设定量为10～100μL/cm²。

7.根据权利要求2所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，在步骤S2中，采用刮涂方式在基底上涂抹介孔溶液，设定量为10～100μL/cm²。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，设定量与最终获得的介孔薄膜的厚度呈正相关。

9.根据权利要求1所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，在步骤S1中，介孔前驱液的制备方式为：将浓度为10～50mg/ml的PVP加入浓度为3％～10％的SnO₂纳米晶溶液混合均匀，再加入超纯水并搅拌均匀。

10.根据权利要求1所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，第二设定时间为2～5h。

11.根据权利要求1所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，在步骤S5中，将洗涤后的薄膜进行干燥处理的具体方式为：将洗涤后的薄膜置于100℃～200℃的热台加热5～60min。

12.根据权利要求1所述的利用聚合物造孔剂低温制备介孔薄膜的方法，其特征在于，在步骤S5中，将洗涤后的薄膜进行干燥处理的具体方式为：将洗涤后的薄膜置于120℃的真空干燥箱直至薄膜完全干燥。