[发明专利]对准误差的测试方法、调整方法、测试系统和存储介质

说明书

本发明实施例提供一种对准误差的测试方法，包括：提供基底，基底上具有间隔设置的第一导电层和第二导电层，第一导电层和第二导电层的排列方向为第一方向；获取第一距离，第一距离为第一导电层在垂直于第一方向上的中心轴线与第二导电层在垂直于第一方向上的中心轴线的距离；获取第一导电层的第一电阻和第二导电层的第二电阻；根据第一距离、第一电阻和第二电阻，获取第一导电层和第二导电层之间的实际间距；通过实际间距以及第一导电层与第二导电层之间的标准间距，获取第一导电层与第二导电层之间的对准误差值。本发明实施例能够提高对准误差的测试精度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种对准误差的测试方法、调整方法、测试系统和存储介质。

背景技术

黄光制程是半导体领域中常用的制程工艺。黄光制程又称为光刻工艺，其原理为：对涂敷在玻璃表面的光敏性物质进行曝光、显影，从而形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层能够对底层的半导体结构起到保护作用。光刻后，以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀半导体结构，从而获得永久性的图形。在曝光之前还会进行对准操作，利用切割道上的对准标记进行对准，以使半导体结构能够与光刻的掩膜版对准，从而使得掩膜版上的图形能够精确转移到光敏性物质上。

在实际生产过程中，经常会出现低良率的半导体结构。对其进行切片和物理失效分析后发现：对准误差会影响图形的精确度，最终会影响半导体结构的性能。因此，亟需获得一种能够精确测试对准误差的方法。

发明内容

本发明实施例提供一种对准误差的测试方法、调整方法、测试系统和存储介质，以提高测试对准误差的精确度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种对准误差的测试方法，包括：提供基底，所述基底上具有间隔设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层的排列方向为第一方向；获取第一距离，所述第一距离为所述第一导电层在垂直于所述第一方向上的中心轴线与所述第二导电层在垂直于所述第一方向上的中心轴线的距离；获取所述第一导电层的第一电阻和所述第二导电层的第二电阻；根据所述第一距离、所述第一电阻和所述第二电阻，获取所述第一导电层和所述第二导电层之间的实际间距；通过所述实际间距以及所述第一导电层与所述第二导电层之间的标准间距，获取所述第一导电层与所述第二导电层之间的对准误差值。

另外，获取所述第一电阻和所述第二电阻后，还包括：通过所述第一电阻获取所述第一导电层在第一方向上的第一宽度；通过所述第二电阻获取所述第二导电层在所述第一方向上的第二宽度。

另外，所述第一导电层和所述第二导电层之间的所述实际间距的获取方法包括：通过所述第一距离、所述第一宽度和所述第二宽度，获取所述实际间距，且所述实际间距、所述第一距离、所述第一宽度和所述第二宽度满足：x＝d-1/2(a+r)，其中，x为所述实际间距，a为所述第一宽度，r为所述第二宽度，d为所述第一距离。

另外，获取所述第一宽度的方法包括：所述第一电阻与所述第一宽度具有第一对应关系，通过所述第一电阻和所述第一对应关系，计算所述第一宽度。

另外，所述第一导电层为栅极结构。

另外，获取所述第二宽度的方法包括：所述第二电阻与所述第二宽度具有第二对应关系，通过所述第二电阻和所述第二对应关系，计算所述第二宽度。

另外，所述第二导电层为导电接触结构。

另外，所述第二导电层在第一方向上的剖面形状为圆形，且所述第二对应关系为：R₂＝4ρ₂L₂/(πr²)，其中，R₂为所述第二电阻，ρ₂为所述第二导电层的电阻率，L₂为所述第二导电层在垂直于所述第一方向上的高度，r为所述第二宽度。