[发明专利]拓展阵元间距移位子阵的结构性运动稀疏阵列设计方法

权利要求书

1.一种拓展阵元间距移位子阵的结构性运动稀疏阵列设计方法，其特征在于，该方法通过构造两个具有扩展间距的移位子阵以得到具有无孔合成差分阵列的结构性运动稀疏阵列，该方法的步骤包括如下：

(1)确定两个拓展阵元间距移位子阵的阵元数M和N：

第一步，根据结构性运动稀疏阵列的最大可识别信源数的需求，设定运动稀疏阵列阵元数K和两个拓展阵元间距移位子阵的首阵元间距与半波长之比L,L为整数；

第二步，当L＝0时，若K为奇数，则取或若K为偶数，则取

第三步，当0＜L≤3(M-1)时，若K为奇数，则取若K为偶数，则取或

第四步，当3(M-1)＜L≤6M时，若K为奇数，则取若K为偶数，则取或

(2)建立具有拓展阵元间距移位子阵的结构性稀疏阵列：

将阵元数分别为M和N的两个拓展阵元间距移位子阵以L·d的首阵元间距共线排列，得到具有拓展阵元间距移位子阵的结构性稀疏阵列，d为单位阵元间距即阵列接收信号的半波长；

(3)获取具有拓展阵元间距移位子阵的结构性运动稀疏阵列结构：

根据所得到的结构性稀疏阵列结构，依照运动稀疏阵列合成阵列的半波长移位构造方法，获取其运动后的合成阵列结构。

2.根据权利要求1所述的拓展阵元间距移位子阵的结构性运动稀疏阵列设计方法，其特征在于，步骤(2)中所述的具有拓展阵元间距移位子阵的结构性稀疏阵列的阵元坐标为如下表达式：

其中，表示具有拓展阵元间距移位子阵的结构性稀疏阵列的阵元坐标集，m和n是正整数且0≤m≤M-1，0≤n≤N-1；d_x和d_y分别表示两个拓展阵元间距移位子阵的阵元间距扩展系数，d_x＝3且d_y≤3M。