[发明专利]一种有机无机混合异质结日盲光电探测器及制备方法

权利要求书

1.一种有机无机混合异质结日盲光电探测器，其特征在于，包括Al₂O₃衬底、Ga₂O₃光吸收层、4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]层以及第一电极和第二电极；其中所述Ga₂O₃光吸收层位于所述Al₂O₃衬底上，所述4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]层位于所述Ga₂O₃光吸收层背离所述Al₂O₃衬底层一侧，所述4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]层的面积小于所述Ga₂O₃光吸收层的面积，所述第一电极位于所述4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]层背离所述Ga₂O₃光吸收层一侧，所述第二电极位于所述Ga₂O₃光吸收层背离所述Al₂O₃衬底一侧，所述第一电极和所述第二电极不直接接触；所述Ga₂O₃光吸收层和所述4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]层构成异质结，形成内建电场，可分离光生载流子。

2.根据权利要求1所述的有机无机混合异质结日盲光电探测器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均为Ti/Au复合电极，所述Ti/Au复合电极包括Ti金属层和Au金属层，所述Ti层的厚度为5-15nm，所述Au层的厚度为45-55nm。

3.根据权利要求1所述的有机无机混合异质结日盲光电探测器，其特征在于，所述Ga₂O₃光吸收层的厚度为400nm，所述4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]层的厚度为200nm。

4.根据权利要求1所述的有机无机混合异质结日盲光电探测器，其特征在于，所述4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]层的面积为所述Ga₂O₃光吸收层的面积的2/3。

5.一种制备权利要求1-4任意一项的所述有机无机混合异质结日盲光电探测器方法，其特征在于，包括以下步骤：

以Al₂O₃为衬底，在Al₂O₃衬底上采用金属有机化合物化学气相沉淀法，使用三甲基镓和氧气作为反应原料，衬底温度为790℃，生长Ga₂O₃薄膜，即形成Ga₂O₃光吸收层；

在所述Ga₂O₃光吸收层背离所述Al₂O₃衬底层一侧制作遮挡层，所述遮挡层覆盖部分所述Ga₂O₃光吸收层；

将4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]溶液旋涂于所述Ga₂O₃光吸收层背离所述Al₂O₃衬底层一侧，形成4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]层，去除所述遮挡层，形成Ga₂O₃/4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]层构成异质结；

采用掩膜版遮挡，在所述4，4'-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]背离所述Ga₂O₃光吸收层一侧和所述Ga₂O₃光吸收层背离所述所述Al₂O₃衬底层一侧分别制作电极，形成第一电极和第二电极。