[发明专利]一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法有效
申请号: | 202110324883.1 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN113072043B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 张伯轩;毕岗 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04;C23C14/16;C23C14/24;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 张羽振 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 催化 pbse 纳米 制备 方法 | ||
本发明涉及一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法,包括步骤:步骤1、在清洁的衬底表面镀上铅层:将衬底切割,用洗剂清洗衬底后烘干;将烘干后的衬底放入真空镀膜机内,在衬底表面加入铅,控制蒸发电流的大小和蒸发时长,蒸发铅丸,在衬底表面得到厚度符合要求的铅层;步骤2、在铅的催化作用下制备PbSe纳米线。本发明的有益效果是:本发明更换相应的生长源就可以生长PbSe纳米线;简化制备工艺和对设备的需求;气相环境相比液相环境更加可控,制备工艺稳定性高,有利于制备大面积均一样品;本发明可为纳米线的生长提供另一种思路;本发明通过控制镀铅的时间、电流,也可以改变铅层厚度,从而控制纳米线的规格。
技术领域
本发明属于纳米线的制备领域,尤其涉及一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法。
背景技术
PbSe纳米线是中红外探测器小型化的理想材料,是目前IV-VI族纳米材料领域的研究热点和重点。该材料在现有报道中主要用CVD法,通入含有5%氢气的氮气来制备。这一制备方法对设备有较高要求,氢气的使用也一定程度上增加了实验的危险性。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足,提供一种铅催化的PbSe纳米线的制备方法;
这种铅催化的PbSe纳米线的制备方法,具体包括如下步骤:
步骤1、在清洁的衬底表面镀上铅层:将衬底切割,用洗剂清洗衬底后烘干;将烘干后的衬底放入真空镀膜机内,在衬底表面加入铅,控制蒸发电流的大小和蒸发时长,蒸发铅丸,在衬底表面得到厚度符合要求的铅层;根据蒸发时间的不同,铅层的厚度也会相应发生变化;蒸发时间越长,蒸发电流越高,则铅层的厚度越厚;蒸发时间接近20s时,最终得到的纳米线长度接近20μm;蒸发时间60s的情况下,最终得到的纳米线长度超过100μm;
步骤2、在铅的催化作用下制备PbSe纳米线:
步骤2.1、在试管中放入PbSe粉末,将步骤1获得的多个具有铅层的衬底首尾相接铺放在试管内靠近管口的位置,以保障纳米线的稳定生长;将试管平放于高温管式炉上的石英管中央,使得PbSe粉末处于加热的正中央的位置以精确控制温度;用抽气泵将高温管式炉上密封的石英管抽至真空;
步骤2.2、缓慢加热高温管式炉,并向石英管中通入不含其它气体的纯净氮气作为保护气体;控制石英管内的气压,缓慢提升温度,保持该温度,PbSe粉末缓慢气化,并在气流的影响下从试管底部向试管口流动;
步骤2.3、降低温度,气化了的PbSe粉末冷凝后,在衬底表面铅层中铅的催化作用下生长为纳米线阵列;缓缓降温至室温,降温期间保持气压不变;在温度接近室温后,抽干石英管内气体以防止氧化。
作为优选,步骤1中衬底为晶面指数100的硅片,衬底表面还镀有二氧化硅。
作为优选,步骤1中将衬底切割成1x3cm2的小块。
作为优选,步骤1中清洗衬底的洗剂为甲苯,采用甲苯清洗衬底时在超声波下清洗5分钟。
作为优选,当步骤1中衬底表面得到的铅层厚度符合要求时,真空镀膜机蒸发电流的大小为60A~80A,蒸发时长为20~60秒。
作为优选,真空镀膜机蒸发电流的大小为70A。
作为优选,步骤2.1中试管为单口石英试管。
作为优选,步骤2.2中缓慢加热高温管式炉至600度,向石英管中通入纯净氮气的速率为0.5L/min,控制石英管内的气压在0.7mpa,缓慢提升温度直到PbSe粉末的温度为900~930℃(930℃较优),衬底温度为400~600℃;保持该温度40~50分钟。
作为优选,步骤2.3中气化了的PbSe粉末在400~600℃冷凝。
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