[发明专利]R-T-B系稀土类烧结磁铁及R-T-B系稀土类烧结磁铁的制造方法

说明书

本发明提供在良好地维持Br和Hk/Hcj的同时提高Hcj的R‑T‑B系稀土类烧结磁铁及R‑T‑B系稀土类烧结磁铁的制造方法。一种R‑T‑B系稀土类烧结磁铁稀，R是稀土元素，T是铁族元素，B是硼。作为R，包含选自Nd和Pr的一种以上。含有M和C，M是选自Zr、Ti和Nb的一种以上。包含主相颗粒和晶界，在晶界包含M‑C化合物、M‑B化合物和6‑13‑1相共存的共存结构。

技术领域

本发明涉及R-T-B系稀土类烧结磁铁及R-T-B系稀土类烧结磁铁的制造方法。

背景技术

在专利文献1中记载了使M-B系化合物、M-B-Cu系化合物、M-C系化合物中的至少两种、和进一步R氧化物在合金结构中细地析出的Nd-Fe-B系稀土系永磁铁，且记载了以实现异常粒生长的抑制、最佳烧结温度范围的扩大、以及良好的磁特性为目的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-210893号公报

发明内容

本发明的目的是在良好地维持Br和Hk/Hcj的同时提高Hcj。

为了实现上述目的，本发明的一个方面所涉及的R-T-B系稀土类烧结磁铁，其中，

R是稀土元素、T是铁族元素、B是硼，

作为R，包含选自Nd和Pr的一种以上，

包含M和C，

M是选自Zr、Ti和Nb的一种以上，

所述R-T-B系稀土类烧结磁铁包含主相颗粒和晶界，在所述晶界包含M-C化合物、M-B化合物和6-13-1相共存的共存结构。

本发明的一个方面所涉及的R-T-B系稀土类烧结磁铁，通过具有上述结构，可以在良好地维持Br和Hk/Hcj的同时提高Hcj。

将R-T-B系稀土类烧结磁铁设为100质量％，

R的合计含量为28.00质量％以上34.00质量％以下，

Co的含量为0.05质量％以上3.00质量％以下，

B的含量为0.70质量％以上0.95质量％以下，

C的含量为0.07质量％以上0.25质量％以下，

Cu的含量为0.10质量％以上0.50质量％以下，

Ga的含量为0.20质量％以上1.00质量％以下，

Al的含量为0.10质量％以上0.50质量％以下，

M的合计含量为0.20质量％以上2.00质量％以下，

重稀土元素的合计含量为0.10质量％以下(包含0)。

所述R-T-B系稀土类烧结磁铁的一个截面中的所述共存结构的面积比例也可以是0.10％以上15.00％以下。

所述共存结构中的M-B化合物和M-C化合物的合计面积比例也可以是40％以上75％以下，6-13-1相的面积比例可以是25％以上60％以下。

上述共存结构中的M-C化合物的面积比例也可以是30％以上70％以下，M-B化合物的面积比例也可以是5％以上10％以下。

本发明的另一个方面所涉及的R-T-B系稀土类烧结磁铁的制造方法，包含：

粉碎原料合金而得到粒径为数μm左右的合金粉末的工序；及

在所述合金粉末中添加包含M的单质的粉末的工序，