[发明专利]一种聚合物选通器件及其制备方法在审
申请号: | 202110306117.2 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN113066928A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 刘举庆;胡义春;刘正东;黄维 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 朱少华 |
地址: | 210009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚合物 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种聚合物选通器件,其特征在于:其包括衬底,衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极,所述的存储介质层是银离子与缘性聚合物卡拉胶杂化层。
2.根据权利要求1所述的一种聚合物选通器件,其特征在于:所述的衬底为硅片、二氧化硅片、玻璃、石英片或者聚合物。
3.根据权利要求1所述的一种聚合物选通器件,其特征在于:所述的存储介质层的厚度为100nm。
4.根据权利要求1所述的一种聚合物选通器件,其特征在于:所述的衬底是硅片衬底,所述的顶电极是Al电极、Ag电极中的一种。
5.一种聚合物选通器件的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)底电极的制备:通过高温热还原氧化石墨烯的方法在衬底上制备还原氧化石墨烯膜;
(2)存储介质层的制备:将纯卡拉胶溶于溶剂后,旋涂于底电极上,烘干;
(3)顶电极的制备:用热蒸镀的方法在存储介质层上形成金属Ag电极,即得存储器。
6.根据权利要求5所述的一种聚合物选通器件的制备方法,其特征在于:所述的步骤(1)中衬底在使用前需预处理,将衬底依次采用乙醇、异丙醇、水超声10-20min,氮气吹干,用氧气等离子清洗机在10-50W的功率下处理3-8min。
7.根据权利要求6所述的一种聚合物选通器件的制备方法,其特征在于:所述的步骤(1)中高温热还原氧化石墨烯的方法是在衬底上旋涂氧化石墨烯溶液,得氧化石墨烯薄膜,然后在氩/氢混合气氛中在1000-1200℃的高温下还原0.5-3小时,得还原氧化石墨烯膜。
8.根据权利要求6所述的一种聚合物选通器件的制备方法,其特征在于:所述的存储介质层的制备方法是将绝缘聚合物溶于溶剂后,旋涂于界面修饰层上,烘干;通过蒸镀等方法获得有机小分子或无机介电材料。
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