[发明专利]显示装置

说明书

一种显示装置，包括：基体基底；氧化物半导体层，设置在所述基体基底上；第一栅极绝缘层，设置在所述氧化物半导体层的第一沟道区上并且与所述氧化物半导体层的所述第一沟道区重叠；第一上部栅极电极，设置在所述第一栅极绝缘层上；以及上部层间绝缘层，设置在所述第一上部栅极电极、所述第一栅极绝缘层和所述氧化物半导体层上，其中，所述上部层间绝缘层包括第一上部层间绝缘层、第二上部层间绝缘层和第三上部层间绝缘层，所述第一上部层间绝缘层包括氧化硅，所述第二上部层间绝缘层和所述第三上部层间绝缘层中的每一个包括氮化硅，并且所述第二上部层间绝缘层中的氢浓度小于所述第三上部层间绝缘层中的氢浓度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年3月18日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0033339号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的实施例针对一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。

背景技术

显示装置是用于显示运动图像或静止图像的装置，并且可以用作诸如电视机、笔记本电脑、监视器、广告牌、物联网(IOT)以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(平板PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪和超移动PC(UMPC)的便携式电子设备的各种产品的显示屏幕。

随着信息社会的发展，对显示图像的显示装置的需求已经以各种形式增加。因此，近年来，显示装置类型已经扩展到包括，尤其是，液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)和微型发光二极管显示器。

示例性显示装置包括发光二极管和连接到发光二极管的多个薄膜晶体管。薄膜晶体管中的每一个包括沟道区和源极/漏极区，所述沟道区和源极/漏极区可以由多晶硅膜形成。

当薄膜晶体管在工作电压范围内导通时，电流流经薄膜晶体管，并且当薄膜晶体管在非工作范围内再次截止时，流经薄膜晶体管的电流终止。

另外，薄膜晶体管的器件特性可以依据形成薄膜晶体管的沟道区和源极/漏极区的多晶硅膜的晶体方向、晶体尺寸和晶体缺陷而改变。

发明内容

本发明的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括具有改善的器件特性的薄膜晶体管。

本发明的实施例提供了一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括具有改善的器件特性的薄膜晶体管。

根据实施例，一种显示装置包括：基体基底；氧化物半导体层，设置在所述基体基底上并且包括第一沟道区、定位在所述第一沟道区的一侧处的第一漏极区和定位在所述第一沟道区的另一侧处的第一源极区；第一栅极绝缘层，设置在所述氧化物半导体层的所述第一沟道区上并且与所述氧化物半导体层的所述第一沟道区重叠且暴露所述氧化物半导体层的所述第一漏极区和所述第一源极区的上表面；第一上部栅极电极，设置在所述第一栅极绝缘层上并且与所述第一栅极绝缘层重叠；以及上部层间绝缘层，设置在所述第一上部栅极电极上并且覆盖所述第一上部栅极电极、所述第一栅极绝缘层的侧表面和所述氧化物半导体层的所述第一源极区和所述第一漏极区的暴露的所述上表面。所述上部层间绝缘层包括设置在所述第一上部栅极电极上的第一上部层间绝缘层、设置在所述第一上部层间绝缘层上的第二上部层间绝缘层和设置在所述第二上部层间绝缘层上的第三上部层间绝缘层，所述第一上部层间绝缘层包括氧化硅，所述第二上部层间绝缘层和所述第三上部层间绝缘层中的每一个包括氮化硅，并且所述第二上部层间绝缘层中的氢浓度小于所述第三上部层间绝缘层中的氢浓度。

在实施例中，所述第一上部层间绝缘层直接接触所述第一上部栅极电极、所述第一栅极绝缘层的所述侧表面和所述氧化物半导体层的所述第一源极区和所述第一漏极区的暴露的所述上表面。

在实施例中，所述第二上部层间绝缘层设置在所述第一上部层间绝缘层和所述第三上部层间绝缘层之间。