[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上具有至少一个谐振区域；

在所述衬底的各个谐振区域中均形成下电极层和金属环，所述金属环环绕在所述谐振区域的边缘并位于所述下电极层的区域范围内，以使得谐振区域的边缘在叠加所述金属环后的膜层厚度增大；

在所述衬底上形成压电层，所述压电层覆盖所述下电极层和所述金属环；以及，

在所述压电层上形成上电极层和质量负载层，其中各个谐振区域中均形成有所述上电极层，而至少一个谐振区域中形成有所述质量负载层；

其中，所述质量负载层的制备方法根据其厚度对应调整，包括：当所述质量负载层的厚度小于等于1000埃，则利用刻蚀工艺或剥离工艺形成所述质量负载层在所述上电极层的下方，或者利用剥离工艺形成所述质量负载层在所述上电极层的上方；以及，当所述质量负载层的厚度大于1000埃，则利用刻蚀工艺形成所述质量负载层在所述上电极层的下方。

2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述下电极层和所述金属环的方法包括：优先在所述谐振区域的边缘形成金属环；之后，形成下电极层，并使所述下电极层覆盖所述金属环。

3.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述上电极层和所述质量负载层的方法包括：

利用刻蚀工艺或剥离工艺形成质量负载层在所述至少一个谐振区域中；以及，

形成上电极层在各个谐振区域中，所述上电极层覆盖所述质量负载层。

4.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述质量负载层的厚度小于等于1000埃，则利用刻蚀工艺或剥离工艺形成所述质量负载层；或者，所述质量负载层的厚度大于1000埃，则利用刻蚀工艺形成所述质量负载层。

5.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述上电极层和所述质量负载层的方法包括：

形成上电极材料层在所述压电层上；

利用剥离工艺形成质量负载层在所述至少一个谐振区域中，所述质量负载层形成在所述上电极材料层上；以及，

对所述上电极材料层执行刻蚀工艺，以形成所述上电极层在各个谐振区域中。

6.如权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述质量负载层的厚度小于1000埃。

7.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底上具有第一谐振区域和第二谐振区域，所述第一谐振区域和所述第二谐振区域中均形成有所述质量负载层，并且所述第一谐振区域中的质量负载层的厚度大于所述第二谐振区域中的质量负载层的厚度。

8.如权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述上电极层和所述质量负载层的方法包括：

利用刻蚀工艺形成质量负载层在所述第一谐振区域中；

形成上电极材料层，所述上电极材料层覆盖所述第一谐振区域中的质量负载层和暴露出的压电层；

利用剥离工艺形成质量负载层在所述第二谐振区域中，并且所述第二谐振区域中质量负载层形成在所述上电极材料层；以及，

对所述上电极材料层执行刻蚀工艺，以形成上电极层在各个谐振区域中。

9.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述上电极层的端部覆盖在所述金属环的正上方。

10.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述上电极层、所述质量负载层和所述金属环均包括相同的金属材料。