[发明专利]一种芯片测试筛选方法在审
| 申请号： | 202110297692.0 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN112798940A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 邱翊琛 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张静洁;曹媛 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 测试 筛选 方法 | ||
1.一种芯片测试筛选方法，其特征在于，包括：
S1、选取一芯片中相邻的若干位线，其中，相邻的两个所述位线之间存在压差，所述位线存在已调整后的偏置电压；
S2、令相邻的两个所述位线之间的介质受压；
S3、将所述已调整后的偏置电压恢复至正常偏置电压，判断所述芯片是否存在至少一所述介质被击穿。
2.如权利要求1所述的芯片测试筛选方法，其特征在于，所述步骤S1之前还包括：
通过写棋盘格数据的方式使所述芯片中所有的相邻的两个位线之间产生压差，其中，所述棋盘格由若干“1”和若干“0”,“1”的上下左右为“0”，“0”的上下左右为“1”。
3.如权利要求2所述的芯片测试筛选方法，其特征在于，在写棋盘格数据时，所述位线处于正常的偏置电压。
4.如权利要求3所述的芯片测试筛选方法，其特征在于，所述步骤S1之前还包括：
调整所述位线的偏置电压，以使相邻的两个所述位线的偏置电压分别调整至所述正常的偏置电压的正、负百分之一百三十。
5.如权利要求1所述的芯片测试筛选方法，其特征在于，所述介质受压的时间为100ms～900ms。
6.如权利要求2所述的芯片测试筛选方法，其特征在于，通过反复写棋盘格数据若干次，使相邻位线之间的介质受压。
7.如权利要求1所述的芯片测试筛选方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：
将所述芯片的已调整后的偏置电压恢复至正常偏置电压；
对所述芯片所有的存储阵列进行擦写；
判断所述芯片是否能正确写入目标的棋盘格数据，若是，判定所述芯片为安全芯片，若否，判定所述芯片为失效芯片。
8.如权利要求2所述的芯片测试筛选方法，其特征在于，所述芯片为存储芯片和/或控制芯片。
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