[发明专利]一种能够实现宽输入范围和快速稳态的低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种能够实现宽输入范围和快速稳态的低压差线性稳压器，其特征在于，包括偏置模块、瞬态增强模块和LDO主环路模块；

所述偏置模块包括偏置电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一P型LDMOS管、第二P型LDMOS管、第三P型LDMOS管、第二电阻和第三电阻；

第一P型LDMOS管的栅漏短接并连接第二P型LDMOS管的栅极、第三P型LDMOS管的栅极和所述偏置电流源，其源极连接第二P型LDMOS管的源极和第三P型LDMOS管的源极并连接低压差线性稳压器的输入电压；

第一PMOS管的栅极连接外部基准电压，其源极连接第一NMOS管的源极，其漏极连接第二PMOS管的源极；

第二电阻的一端连接第一NMOS管的栅极和漏极并产生内部参考电压，其另一端连接第二P型LDMOS管的漏极；

第二NMOS管的栅漏短接并通过第三电阻后连接第三P型LDMOS管的漏极，其源极连接第二PMOS管的栅极和漏极并接地；

所述LDO主环路模块包括第二N型LDMOS管、第三N型LDMOS管、第四N型LDMOS管、第八P型LDMOS管、第九P型LDMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第六电阻、第七电阻、第四电容和第五电容；

第八P型LDMOS管的栅极连接所述偏置模块中第一P型LDMOS管的栅极，其源极连接第九P型LDMOS管的源极并连接所述低压差线性稳压器的输入电压，其漏极连接第九P型LDMOS管的栅极并通过第七电阻后连接第四N型LDMOS管的漏极；第四N型LDMOS管的栅极连接高电平的第一外部偏置电压；

第九P型LDMOS管的漏极作为所述低压差线性稳压器的输出端；

第四电容一端连接所述低压差线性稳压器的输出端，另一端连接第四N型LDMOS管的源极和第九NMOS管的漏极；

第五电容一端连接所述低压差线性稳压器的输出端，另一端连接第十NMOS管的漏极；

第十NMOS管的栅极连接第七NMOS管的栅极和所述偏置模块中第二NMOS管的栅极，其源极连接第七NMOS管的源极、第八NMOS管的源极和第九NMOS管的源极并接地；

第二N型LDMOS管的栅极连接所述低压差线性稳压器的输出端，其漏极连接第三N型LDMOS管的漏极并通过第六电阻后连接所述低压差线性稳压器的输入电压，其源极连接第五PMOS管的源极；

第三N型LDMOS管的栅极连接所述内部参考电压，其源极连接第六PMOS管的源极；

第六PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极和漏极以及第七NMOS管的漏极，其漏极连接第八NMOS管的栅极和漏极以及第九NMOS管的栅极；

所述瞬态增强模块包括第一N型LDMOS管、第四P型LDMOS管、第五P型LDMOS管、第六P型LDMOS管、第七P型LDMOS管、第二电容、第四电阻、第五电阻、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第十一NMOS管；

第二电容一端连接第六NMOS管的漏极和所述低压差线性稳压器的输出端，另一端连接第四NMOS管的栅极并通过第五电阻后连接第三NMOS管的栅极；

第四P型LDMOS管的栅极连接所述偏置模块中第一P型LDMOS管的栅极，其源极连接第五P型LDMOS管的源极和第六P型LDMOS管的源极并连接所述低压差线性稳压器的输入电压，其漏极通过第四电阻后连接第三NMOS管的漏极；

第一N型LDMOS管的栅极连接高电平的第二外部偏置电压，其漏极连接第五P型LDMOS管的栅极和漏极以及第六P型LDMOS管的栅极和第七P型LDMOS管的栅极，其源极连接第四NMOS管的漏极；第六P型LDMOS管的漏极连接第七P型LDMOS管的源极；

第十一NMOS管的栅极连接所述偏置模块中第二NMOS管的栅极，其漏极连接第七P型LDMOS管的漏极、第六NMOS管的栅极以及第五NMOS管的栅极和漏极，其源极连接第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极、第五NMOS管的源极和第六NMOS管的源极并接地。