[发明专利]一种磷污染物的去除方法及装置

说明书

本发明提供了一种磷污染物的去除方法及装置，所述方法包括：向反应腔室中通入预设气体，与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应，使固态的所述磷污染物变为气态；对所述反应腔室内的气体进行气体抽离。也就是说，该去除方法通过向反应腔室中通入可以与磷污染物反应的气体，二者发生反应，将固态的磷污染物变为气态，再对反应腔室内的气体进行抽离，实现清除磷污染物的目的。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，更具体地说，涉及一种磷污染物的去除方法及装置。

背景技术

随着科学技术的不断发展，各种各样的半导体器件已广泛应用于人们的生活和工作中，为人们的日常生活带来了极大的便利。

在具有磷掺杂多晶硅的氧化过程中，由于磷元素在高温下会从多晶硅中逸散出来，进而附着在氧化机台的各个组件上，对后续工艺造成影响。

那么，如何去除氧化机台上附着的磷污染物，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种磷污染物的去除方法及装置，技术方案如下：

一种磷污染物的去除方法，所述方法包括：

向反应腔室中通入预设气体，与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应，使固态的所述磷污染物变为气态；

对所述反应腔室内的气体进行气体抽离。

优选的，在上述方法中，所述预设气体为氢气和氧气的混合气体；

所述向反应腔室中通入预设气体，与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应，使固态的所述磷污染物变为气态，包括：

向所述反应腔室中通入所述氢气和氧气的混合气体；

对所述混合气体进行等离子体处理，以生成氧离子气体；所述氧离子气体用于与所述磷污染物在预设条件下进行化学反应，以使固态的所述磷污染物变为气态。

优选的，在上述方法中，所述预设条件至少包括腔室内的温度；

所述腔室内的温度为600℃-1100℃。

优选的，在上述方法中，所述预设条件至少包括腔室内的压力；

所述腔室内的压力为1Torr-8Toor。

优选的，在上述方法中，所述氧离子气体的气体流量为2slm-8slm。

优选的，在上述方法中，在向反应腔室中通入预设气体，与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应，使固态的所述磷污染物变为气态这一步骤之前，所述方法还包括：

提供一磷掺杂的待加工基片；

将所述待加工基片固定在所述氧化机台上；

对所述待加工基片进行氧化处理；其中，在所述氧化处理过程中，所述待加工基片中的磷被散发，进而附着在所述氧化机台上，形成所述磷污染物。

一种磷污染物的去除装置，所述装置包括：

气体处理组件，用于向反应腔室中通入预设气体，与所述反应腔室中氧化机台上的磷污染物进行反应，使固态的所述磷污染物变为气态；

气体抽离组件，用于对所述反应腔室内的气体进行气体抽离。

优选的，在上述装置中，所述预设气体为氢气和氧气的混合气体；

所述气体处理组件具体用于：

向所述反应腔室中通入所述氢气和氧气的混合气体；