[发明专利]流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过以下步骤制造基于科里奥利力的流量感测装置：

在基底的绝缘层上的驱动电极上形成第一牺牲区域；

在所述第一牺牲区域上形成第一结构部分，所述第一结构部分具有埋入所述第一结构部分中的第二牺牲区域，其中所述第二牺牲区域的一部分至少部分地与所述驱动电极重叠；

形成穿过所述第一结构部分的一部分的至少一个孔，所述孔到达所述第二牺牲区域；

在所述孔内形成多孔层，所述多孔层具有孔隙，所述孔隙的尺寸被确定为允许蚀刻剂通过，所述蚀刻剂被配置为选择性地去除所述第二牺牲区域；

通过使用所述蚀刻剂穿过所述多孔层的所述孔隙选择性地去除所述第二牺牲区域来形成埋入通道；

通过形成与所述第一结构部分结合的第二结构部分来形成结构体；

形成横向于所述埋入通道的通孔，所述通孔到达所述第一牺牲区域；以及

通过经由所述通孔选择性地去除所述第一牺牲区域来将所述结构体的区域悬置在所述驱动电极上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一牺牲区域还包括：形成具有选定厚度的所述第一牺牲区域，所述选定厚度限定所述驱动电极和所述结构体之间的电容耦合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述结构体还包括：由导电材料形成所述结构体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第二牺牲区域还包括：

形成牺牲层；以及

通过去除所述牺牲层的部分来形成所述埋入通道，所述埋入通道允许液体或气体流过所述埋入通道。

5.根据利要求1所述的方法，其中形成所述多孔层还包括：通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺，将所述多孔层生长至具有在100nm与150nm范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成结构体的所述第二部分还包括：利用外延工艺填充所述多孔层的所述孔隙，而不穿透所述埋入通道。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多孔层还包括：形成具有范围为从1nm至50nm的直径的孔隙的多孔多晶硅的多孔层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述绝缘层上距所述驱动电极一定距离处形成至少一个感测电极，其中形成所述第一牺牲区域还包括：在所述感测电极上形成所述第一牺牲区域，并且其中形成所述结构体的所述第一结构部分还包括：形成与所述感测电极部分地重叠的所述第一结构部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述驱动电极还包括：形成导电材料，并且去除所述导电材料的部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述结构体的所述第一结构部分包括：在所述基底上形成所述结构体的所述第一结构部分的锚固件，并且延伸穿过所述第一牺牲区域。

11.根据权利要求1的方法，还包括：通过在所述埋入通道内形成特性改变层，来形成具有可润湿表面的所述埋入通道的内壁，并且保护所述埋入通道的所述内壁免受在使用期间流入所述埋入通道的流体的影响。

12.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地去除所述第二牺牲区域还包括：形成所述结构体的悬置区域，所述悬置区域将所述埋入通道容纳在所述悬置区域内。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过将帽(10)耦合至所述结构体在所述帽与所述结构体之间形成与所述悬置区域至少部分地重叠的空腔，来将所述结构体的至少所述悬置区域与外部环境隔离。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底和所述结构体由硅制成，并且所述第一牺牲区域和所述第二牺牲区域由氧化硅制成。