[发明专利]一种激光器芯片

说明书

本申请实施例公开了一种激光器芯片，包括：位于同一衬底上的调制模块和激光模块，所述调制模块包括第一调制器和第二调制器；其中，所述第一调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第一包覆层、第一填充层和第一电极层；所述第二调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第二包覆层、第三包覆层和第二电极层；所述第三包覆层为深脊波导结构，所述第三包覆层覆盖所述第二包覆层的第一部分区域，所述第二包覆层未被所述第三包覆层覆盖的第二部分区域覆盖有第二填充层。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种激光器芯片。

背景技术

在我们所处的信息时代里，人们对多种多样的广泛信息的需求，促进了通信系统向更高速率和更大容量方向发展，单个光传输芯片的传输容量和元件的集成度的提高是主要趋势。电吸收调制激光器(Eroabsorption Modulated Laser，EML)是光通信系统中(尤其是长途干线网络中)的一种主要的光信号产生元件。由于材料生长技术的原因，现有的EML芯片的结构激光器端和调制器端的结构基本是一样的，为了提高EML芯片传输的带宽，如何降低调制器端的电容是关键。

为了降低调制器端的电容，通常采用减小量子阱的宽度的方式，这种方式虽然可以提高传输带宽，但是也会使得光限制因子的降低，造成光斑变形。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种激光器芯片。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种激光器芯片，包括：位于同一衬底上的调制模块和激光模块，所述调制模块包括第一调制器和第二调制器；其中，

所述第一调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第一包覆层、第一填充层和第一电极层；

所述第二调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第二包覆层、第三包覆层和第二电极层；所述第三包覆层为深脊波导结构，所述第三包覆层覆盖所述第二包覆层的第一部分区域，所述第二包覆层未被所述第三包覆层覆盖的第二部分区域覆盖有第二填充层。

在一种可选的实施方式中，所述第一填充层覆盖所述第一包覆层的第一部分区域；

所述第一调制器还包括第四包覆层，所述第四包覆层覆盖所述第一包覆层的第二部分区域，所述第二部分区域是指所述第一包覆层中未被所述第一填充层覆盖的区域。

在一种可选的实施方式中，所述第二调制器还包括第一量子阱层和/或第一接触层；其中，

所述第一量子阱层位于所述第二包覆层和所述第三包覆层之间；

所述第一接触层位于所述第三包覆层和所述第二电极层之间。

在一种可选的实施方式中，所述第二电极层的第一部分区域覆盖所述第一接触层，且所述第二电极层的第二部分区域覆盖所述第二填充层。

在一种可选的实施方式中，所述第二调制器包括所述第一量子阱层的情况下，所述第二填充层的高度大于所述第一量子阱层和所述第三包覆层的总高度；或者，

所述第二调制器包括所述第一接触层的情况下，所述第二填充层的高度大于所述第一接触层和所述第三包覆层的总高度；或者，

所述第二调制器包括所述第一量子阱层和所述第一接触层的情况下，所述第二填充层的高度大于或等于所述第一量子阱层、所述第三包覆层和所述第一接触层的总高度。

在一种可选的实施方式中，所述第一量子阱层满足以下至少一个特征：

第一特征，所述第一特征指所述第一量子阱层包括的第一量子阱的数量为10-15个；

第二特征，所述第二特征指所述第一量子阱的宽度为1.6μm-1.7μm。