[发明专利]一种激光器芯片

权利要求书

1.一种激光器芯片，其特征在于，包括：位于同一衬底上的调制模块和激光模块，所述调制模块包括第一调制器和第二调制器；其中，

所述第一调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第一包覆层、第一填充层和第一电极层；

所述第二调制器包括：在所述衬底上依次层叠的第二包覆层、第三包覆层和第二电极层；所述第三包覆层为深脊波导结构，所述第三包覆层覆盖所述第二包覆层的第一部分区域，所述第二包覆层未被所述第三包覆层覆盖的第二部分区域覆盖有第二填充层。

2.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述第一填充层覆盖所述第一包覆层的第一部分区域；

所述第一调制器还包括第四包覆层，所述第四包覆层覆盖所述第一包覆层的第二部分区域，所述第二部分区域是指所述第一包覆层中未被所述第一填充层覆盖的区域。

3.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二调制器还包括第一量子阱层和/或第一接触层；其中，

所述第一量子阱层位于所述第二包覆层和所述第三包覆层之间；

所述第一接触层位于所述第三包覆层和所述第二电极层之间。

4.根据权利要求3所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二电极层的第一部分区域覆盖所述第一接触层，且所述第二电极层的第二部分区域覆盖所述第二填充层。

5.根据权利要求3所述的激光器芯片，其特征在于，

所述第二调制器包括所述第一量子阱层的情况下，所述第二填充层的高度大于所述第一量子阱层和所述第三包覆层的总高度；或者，

所述第二调制器包括所述第一接触层的情况下，所述第二填充层的高度大于所述第一接触层和所述第三包覆层的总高度；或者，

所述第二调制器包括所述第一量子阱层和所述第一接触层的情况下，所述第二填充层的高度大于或等于所述第一量子阱层、所述第三包覆层和所述第一接触层的总高度。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的激光器芯片，其特征在于，所述第一量子阱层满足以下至少一个特征：

第一特征，所述第一特征指所述第一量子阱层包括的第一量子阱的数量为10-15个；

第二特征，所述第二特征指所述第一量子阱的宽度为1.6μm-1.7μm。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的激光器芯片，其特征在于，所述激光模块包括在所述衬底上的层叠结构和覆盖所述层叠结构顶部和侧壁的第三电极层；其中，

所述层叠结构包括依次层叠的第五包覆层、填埋层、第六包覆层、第二接触层和绝缘层；所述绝缘层的顶部具有开口，所述第三电极层通过所述开口与所述第二接触层接触。

8.根据权利要求7所述的激光器芯片，其特征在于，所述激光模块还包括位于所述填埋层中的第二量子阱层；

所述第二量子阱层满足以下至少一个特征：

第三特征，所述第三特征指所述第二量子阱层包括的第二量子阱的数量为5-10个；

第四特征，所述第四特征指所述第二量子阱的宽度为1.6μm-1.7μm。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的激光器芯片，其特征在于，所述激光器芯片还包括隔离部；其中，

所述隔离部设置于所述调制模块和所述激光模块之间，用于隔离所述调制模块和所述激光模块。

10.根据权利要求3至5中任一项所述的激光器芯片，其特征在于，所述激光器芯片还包括输出波导；其中，

所述激光模块、所述调制模块和所述输出波导沿激光传输方向依次设置；

所述输出波导包括在所述衬底上依次层叠的第七包覆层、第八包覆层和第三接触层；其中，

所述第八包覆层与所述第一量子阱层和所述第三包覆层耦合对接，以吸收所述第二调制器输出的激光。