[发明专利]双向偏压响应的有机光电倍增探测器及其制备方法有效
| 申请号: | 202110293648.2 | 申请日: | 2021-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN113130761B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | 石林林;崔艳霞;李国辉;张叶;王文艳;冀婷 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人: | 赵江艳 |
| 地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双向 偏压 响应 有机 光电 倍增 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器,其特征在于,包括依次设置的阳极层(1)、阳极修饰层(2)、界面修饰层(3)、活性层(4)和阴极层(5),所述界面修饰层为三氧化二铝,所述界面修饰层(3)厚度为0.8± 0.02 nm,阳极修饰层材质为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸,即PEDOT:PSS,活性层材质为聚3 -己基噻吩:苯基-C70-丁酸甲酯,即P3HT:PC70BM。
2.根据权利要求1所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器,其特征在于,所述阳极层(1)材质为氧化铟锡层,阴极层材质为铝、银或者金层。
3.根据权利要求1所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器,其特征在于,所述阳极修饰层(2)厚度为25 ± 0.2 nm,活性层(4)厚度为270± 0.2nm,阴极层(5)厚度为100± 20 nm。
4.根据权利要求1~3任一项所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、活性层溶液配制;
S2、把ITO导电玻璃片清洗干净并用等离子清洗机进一步处理后,作为阳极层(1),在阳极层(1)上旋涂PEDOT:PSS层作为阳极修饰层(2);
S3、在阳极修饰层(2)上原子层沉积三氧化二铝作为界面修饰层(3);
S4、在界面修饰层(3)上旋涂P3HT:PC70BM层作为活性层(4);
S5、在活性层(4)上热蒸镀厚度为铝、银或金作为阴极层(5)。
5.根据权利要求4所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,活性层溶液配制的方法为:
分别将40毫克P3HT、PC70BM分别溶解于1毫升邻二氯苯,并在60℃下搅拌均匀后,取0.01毫升配置好的PC70BM溶液与配置好的1毫升P3HT溶液混合后同样在60℃下搅拌均匀,获得P3HT:PC70BM质量比为100:1的活性层溶液。
6.根据权利要求4所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,旋涂PEDOT:PSS阳极缓冲层后将其置于加热台上,在120℃下退火15min,然后常温静置至少5 min后进入下一步。
7.根据权利要求4所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中界面修饰层(3)的制备方法具体为:
采用三甲基铝和水蒸气在腔体温度为150℃条件下发生化学反应,并以循环1次约为0.1 nm的沉积速率,通过控制循环次数来确定沉积三氧化二铝薄膜的厚度,然后真空静置至少5 min后进入下一步。
8.根据权利要求4所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S4的具体步骤为:
在界面修饰层(3)上以转速1200 rpm旋涂活性层溶液,旋涂完成后直接置于加热台上,在80℃下退火20 s,之后手套箱中静置3 min以上后进入下一步。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





