[发明专利]双向偏压响应的有机光电倍增探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110293648.2 申请日: 2021-03-19
公开(公告)号: CN113130761B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 石林林;崔艳霞;李国辉;张叶;王文艳;冀婷 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 代理人: 赵江艳
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 双向 偏压 响应 有机 光电 倍增 探测器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器,其特征在于,包括依次设置的阳极层(1)、阳极修饰层(2)、界面修饰层(3)、活性层(4)和阴极层(5),所述界面修饰层为三氧化二铝,所述界面修饰层(3)厚度为0.8± 0.02 nm,阳极修饰层材质为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸,即PEDOT:PSS,活性层材质为聚3 -己基噻吩:苯基-C70-丁酸甲酯,即P3HT:PC70BM。

2.根据权利要求1所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器,其特征在于,所述阳极层(1)材质为氧化铟锡层,阴极层材质为铝、银或者金层。

3.根据权利要求1所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器,其特征在于,所述阳极修饰层(2)厚度为25 ± 0.2 nm,活性层(4)厚度为270± 0.2nm,阴极层(5)厚度为100± 20 nm。

4.根据权利要求1~3任一项所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、活性层溶液配制;

S2、把ITO导电玻璃片清洗干净并用等离子清洗机进一步处理后,作为阳极层(1),在阳极层(1)上旋涂PEDOT:PSS层作为阳极修饰层(2);

S3、在阳极修饰层(2)上原子层沉积三氧化二铝作为界面修饰层(3);

S4、在界面修饰层(3)上旋涂P3HT:PC70BM层作为活性层(4);

S5、在活性层(4)上热蒸镀厚度为铝、银或金作为阴极层(5)。

5.根据权利要求4所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,活性层溶液配制的方法为:

分别将40毫克P3HT、PC70BM分别溶解于1毫升邻二氯苯,并在60℃下搅拌均匀后,取0.01毫升配置好的PC70BM溶液与配置好的1毫升P3HT溶液混合后同样在60℃下搅拌均匀,获得P3HT:PC70BM质量比为100:1的活性层溶液。

6.根据权利要求4所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,旋涂PEDOT:PSS阳极缓冲层后将其置于加热台上,在120℃下退火15min,然后常温静置至少5 min后进入下一步。

7.根据权利要求4所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中界面修饰层(3)的制备方法具体为:

采用三甲基铝和水蒸气在腔体温度为150℃条件下发生化学反应,并以循环1次约为0.1 nm的沉积速率,通过控制循环次数来确定沉积三氧化二铝薄膜的厚度,然后真空静置至少5 min后进入下一步。

8.根据权利要求4所述的一种双向偏压响应的有机光电倍增探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤S4的具体步骤为:

在界面修饰层(3)上以转速1200 rpm旋涂活性层溶液,旋涂完成后直接置于加热台上,在80℃下退火20 s,之后手套箱中静置3 min以上后进入下一步。

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