[发明专利]层叠陶瓷电子部件有效

专利信息
申请号: 202110293413.3 申请日: 2021-03-18
公开(公告)号: CN113451049B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 桥本英之;上野健之 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01G4/008 分类号: H01G4/008;H01G4/018;H01G4/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朴云龙
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 层叠 陶瓷 电子 部件
【说明书】:

发明提供一种抑制构成电介质层的晶粒内的氧空穴的移动并具有高可靠性的层叠陶瓷电子部件。层叠陶瓷电子部件具备包含层叠的电介质层和内部电极层的层叠体。电介质层具备包含Ba、Ti的多个电介质粒子。而且,层叠陶瓷电子部件在电介质粒子的界面存在由第1元素构成的第1浓缩区域,在从第1浓缩区域起50nm以内的界面存在由第1元素构成的第2浓缩区域。

技术领域

本公开涉及层叠陶瓷电子部件。

背景技术

近年来,层叠陶瓷电容器等层叠陶瓷电子部件正在发展向车载设备等要求高可靠性的电子设备的应用。

作为层叠陶瓷电子部件的一个例子,可列举在日本特开2017-228590号公报记载的层叠陶瓷电容器。在日本特开2017-228590号公报记载的层叠陶瓷电容器具备包含陶瓷材料和Ni的电介质层以及包含Ni的内部电极层。

像高温负荷试验那样对层叠陶瓷电容器的电介质层施加了高电场的情况下的绝缘电阻存在被构成电介质层的电介质粒子的晶粒边界所支配的倾向。在日本特开2017-228590号公报公开了如下的技术,即,通过将从内部电极层扩散并在晶粒边界不均匀地存在的Ni导入到电介质粒子内,从而抑制绝缘电阻的偏差。

为了提高具备包含BaTiO3的电介质层的层叠陶瓷电容器的可靠性,除了将上述的从内部电极层扩散的Ni导入到电介质粒子内以外,还需要抑制施加了直流电压的情况下的电介质层中的氧空穴的移动。为了提高可靠性,通过作为稀土类元素RE的正3价的离子的RE3+来置换BaTiO3的晶格中的作为Ba的正2价的离子的Ba2+是有效的(以后,关于离子的标记,有时仿效上述标记)。

若像上述的那样Ba2+被RE3+所置换,则正电荷变得过剩。因此,生成可视为相对地带电为负2价的Ba空穴,以便满足电中性条件。该Ba空穴和能够视为相对地带电为正2价的氧空穴形成稳定的缺陷对。Ba空穴在被施加了直流电压的情况下也不易移动,因此通过被Ba空穴把持,从而可抑制氧空穴的移动。

已知上述的氧空穴的移动可通过电介质粒子的晶粒边界附近的构造来抑制。例如,在使用了晶格静力学法的包含BaTiO3的电介质的对应晶粒边界的稳定构造的计算中,示出在晶粒边界附近存在许多对于氧空穴而言稳定的位置。由于上述的Ba2+被RE3+置换而造成的Ba空穴的存在,对该氧空穴的晶粒边界附近的稳定性而言是重要的因素。

为了使具备包含BaTiO3的电介质层的层叠陶瓷电容器的可靠性提高,需要抑制构成电介质层的晶粒内的氧空穴的移动,但是在日本特开2017-228590号公报中并没有记载。

发明内容

本公开涉及的层叠陶瓷电子部件具备包含层叠的电介质层和内部电极层的层叠体。电介质层具备包含Ba、Ti的多个电介质粒子。而且,在电介质粒子的界面存在由第1元素构成的第1浓缩区域,在从第1浓缩区域起50nm以内的界面存在由第1元素构成的第2浓缩区域。

通过在界面配置能够抑制氧空穴的移动的元素,从而层叠陶瓷电子部件能够得到高可靠性。

根据以下与附图相关联地进行理解的与本发明相关的详细的说明,本发明的上述以及其它目的、特征、方式以及优点将变得清楚。

附图说明

图1是作为本公开涉及的层叠陶瓷电子部件的第1实施方式的层叠陶瓷电容器100的剖视图。

图2是用于对为了调查层叠陶瓷电容器100的电介质层11的微细构造而准备的试样进行说明的剖视图。

图3是图2的中央区域中的透射型电子显微镜(以后,有时简称为TEM)观察像的示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110293413.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top