[发明专利]图案化的方法

说明书

本发明提供一种图案化的方法，包括：提供条纹层，其具有交替排列的多个A条与交替配置在所述A条之间的多个B条与多个C条；在条纹层上形成具有第一开口的第一掩膜层；移除外露于第一开口的A条与B条；在C条的侧壁与经蚀刻的B条的侧壁上分别形成多个第一间隙壁；在第一间隙壁的侧壁上分别形成多个第二间隙壁；在条纹层上形成具有第二开口的第二掩膜层；移除外露在第二开口的A条与C条；在B条的侧壁与第二间隙壁的侧壁上分别形成多个第三间隙壁；在第三间隙壁的侧壁上分别形成多个第四间隙壁；以及移除A条、第一间隙壁以及第三间隙壁以形成图案层。

技术领域

本发明涉及一种图案化的方法。

背景技术

随着科技的进步，各类电子产品皆朝向轻薄短小的趋势发展。在这趋势之下，半导体器件的关键尺寸亦逐渐缩小，进而使得光刻工艺愈来愈困难。在习知光刻工艺中，缩小关键尺寸的方法包括使用较大数值孔径(numerical aperture，NA)的光学器件、较短的曝光波长(例如EUV)或是除了空气以外的界面介质(例如水浸入)。随着用以提高习知光刻工艺的分辨率的这些选择已接近光学极限以和/或随机极限(stochastic limit)，制造商已开始转向双重图案化(double-patterning，DP)方法或甚至四重图案化(quadruple-patterning，QP)方法来克服光学极限，进而提升半导体器件的集成密度。

发明内容

本发明提供一种图案化的方法，其通过分别移除特定区域中的具有不同材料的两个条以及双重图案化工艺，以产生高分辨率特征，进而提升半导体组件的集成密度。

本发明提供一种图案化的方法包括：在目标层上依序形成硬掩膜层与条纹层，其中条纹层包括多个A条与交替配置在所述A条之间的多个B条与多个C条；在条纹层上形成具有第一开口的第一掩膜层；移除外露于第一开口的A条与B条；在移除第一掩膜层之后，在C条的侧壁与经蚀刻的B条的侧壁上分别形成多个第一间隙壁；在第一间隙壁的侧壁上分别形成多个第二间隙壁；在条纹层上形成具有第二开口的第二掩膜层；移除外露在第二开口的A条与C条；在移除第二掩膜层之后，在B条的侧壁与第二间隙壁的侧壁上分别形成多个第三间隙壁；在第三间隙壁的侧壁上分别形成多个第四间隙壁；以及移除A条、第一间隙壁以及第三间隙壁以形成图案层，图案层暴露出硬掩膜层的顶面。

本发明提供一种图案化的方法包括：提供条纹层，其中条纹层包括交替排列的多个A条与交替配置在所述A条之间的多个B条与多个C条；在条纹层上形成具有第一开口的第一掩膜层，其中第一开口是甜甜圈形状；移除外露于第一开口的A条与C条；在第一开口的侧壁与B条的侧壁上分别形成多个第一间隙壁；在第一间隙壁的侧壁上分别形成多个第二间隙壁；在移除第一掩膜层之后，在条纹层上形成具有第二开口的第二掩膜层，其中第二开口是甜甜圈形状；移除外露在第二开口的A条与B条；在第二开口的侧壁与C条的侧壁上分别形成多个第三间隙壁；在第三间隙壁的侧壁上分别形成多个第四间隙壁；以及在移除第二掩膜层之后，移除A条、第一间隙壁以及第三间隙壁以形成图案层。

本发明提供一种图案化的方法包括：在衬底上形成核心层，其中核心层包括以矩阵的形式排列的多个第一柱状结构；在第一柱状结构的侧壁上形成间隙壁，以在第一柱状结构之间形成多个第一孔洞；将第一材料填入第一孔洞中，以形成多个第二柱状结构；在核心层上形成具有开口的掩膜层；移除外露于开口的第一柱状结构或第二柱状结构，以形成多个第二孔洞；以及将第二材料填入第二孔洞，以形成多个第三柱状结构。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1I是本发明第一实施例的一种半导体结构的制造流程的上视示意图；

图2A至图2B是沿着图1A与图1C的切线I-I’的剖面示意图；

图3A至图3E是沿着图1D、图1E、图1G至图1I的切线A-A’的剖面示意图；