[发明专利]图案化的方法有效
申请号: | 202110291995.1 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN113539796B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 陈达 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/033 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;黄健 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 方法 | ||
1.一种图案化的方法,包括:
在目标层上依序形成硬掩膜层与条纹层,其中所述条纹层包括多个A条与交替配置在所述A条之间的多个B条与多个C条;
在所述条纹层上形成具有第一开口的第一掩膜层;
移除外露于所述第一开口的所述A条与所述B条;
在移除所述第一掩膜层之后,在所述C条的侧壁与经蚀刻的B条的侧壁上分别形成多个第一间隙壁;
在所述第一间隙壁的侧壁上分别形成多个第二间隙壁;
在所述条纹层上形成具有第二开口的第二掩膜层;
移除外露于所述第二开口的所述A条与所述C条;
在移除所述第二掩膜层之后,在所述B条的侧壁与所述第二间隙壁的侧壁上分别形成多个第三间隙壁;
在所述第三间隙壁的侧壁上分别形成多个第四间隙壁;以及
移除所述A条、所述第一间隙壁以及所述第三间隙壁以形成图案层,所述图案层暴露出所述硬掩膜层的顶面。
2.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中所述A条、所述B条以及所述C条沿着平行于所述目标层的顶面的方向以B-A-C-A-B-A-C-A的顺序排列。
3.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中所述A条、所述B条以及所述C条具有不同的蚀刻选择性。
4.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中所述A条与所述第一间隙壁以及所述第三间隙壁具有相同材料或是具有相同蚀刻选择性的材料。
5.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中所述B条与所述第二间隙壁以及所述第四间隙壁具有相同材料或是具有相同蚀刻选择性的材料。
6.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中在形成所述第二间隙壁之后,所述B条被所述第一间隙壁分隔成多个B条段;在形成所述第四间隙壁之后,所述C条被所述第三间隙壁分隔成多个C条段;且所述第一开口与所述第二开口部分重叠,以使所述B条段与所述C条段交错配置。
7.根据权利要求1所述的图案化的方法,还包括:
以所述图案层为掩膜移除所述硬掩膜层的一部分,以形成掩膜图案;
以所述掩膜图案为掩膜移除所述目标层的一部分,以在所述目标层中形成多个第三开口;以及
将隔离材料填入所述第三开口中,以在所述目标层中形成多个隔离结构。
8.根据权利要求1所述的图案化的方法,其中所述硬掩膜层包括第一硬掩膜与位于所述第一硬掩膜上的第二硬掩膜,所述第一硬掩膜与所述第二硬掩膜具有不同材料或具有不同蚀刻选择性的材料。
9.一种图案化的方法,包括:
提供条纹层,其中所述条纹层包括交替排列的多个A条、多个B条以及多个C条;
在所述条纹层上形成具有第一开口的第一掩膜层;
移除外露于所述第一开口的所述A条与所述C条;
在所述第一开口的侧壁与所述B条的侧壁上分别形成多个第一间隙壁;
在所述第一间隙壁的侧壁上分别形成多个第二间隙壁;
在移除所述第一掩膜层之后,在所述条纹层上形成具有第二开口的第二掩膜层;
移除外露于所述第二开口的所述A条与所述B条;
在所述第二开口的侧壁与所述C条的侧壁上分别形成多个第三间隙壁;
在所述第三间隙壁的侧壁上分别形成多个第四间隙壁;以及
在移除所述第二掩膜层之后,移除所述A条、所述第一间隙壁以及所述第三间隙壁以形成图案层。
10.根据权利要求9所述的图案化的方法,其中形成所述第一开口包括:
形成具有第一初始开口的第一初始掩膜层;
在所述第一初始开口的侧壁上形成第一牺牲间隙壁;
在所述第一牺牲间隙壁的侧壁上形成第二牺牲间隙壁;以及
移除所述第一牺牲间隙壁,以暴露出下方的所述条纹层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造