[发明专利]一种多层绝缘体上硅锗衬底及其制备方法、应用

权利要求书

1.一种多层绝缘体上硅锗衬底，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、硅层；

所述硅层上交替垂直堆叠n层第二绝缘层和n层硅锗层，并且靠近所述硅层的是所述第二绝缘层；所述硅锗的化学式为Si_1-xGe_x，0＜x＜0.5；

其中，n为1以上的正整数；所述第二绝缘层设有使底部相邻层裸露的凹槽，所述硅锗层充满所述凹槽并且覆盖所述第二绝缘层的上表面。

2.根据权利要求1所述的多层绝缘体上硅锗衬底，其特征在于，所述第一绝缘层和硅层的厚度均在100nm以下。

3.根据权利要求2所述的多层绝缘体上硅锗衬底，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度在100nm以下；所述硅锗层覆盖所述第二绝缘层的上表面的厚度在100nm以下。

4.根据权利要求1-3任一项所述的多层绝缘体上硅锗衬底，其特征在于，所述第一绝缘层和第二绝缘层均为氧化硅。

5.一种多层绝缘体上硅锗衬底的制备方法，其特征在于，包括：

步骤a：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、硅层；

步骤b：在所述硅层上形成第二绝缘层；

步骤c：在所述第二绝缘层上刻蚀出凹槽，所述凹槽使底部相邻层裸露；

步骤d：形成硅锗层，充满所述凹槽并且覆盖所述第二绝缘层的上表面；所述硅锗的化学式为Si_1-xGe_x，0＜x＜0.5；

步骤e：重复所述步骤b至步骤d的过程n-1次，所述n为1以上的正整数。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层在100nm以下，并且在所述步骤b之前还将硅层减薄至厚度在100nm以下。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b还包括：对所述第二绝缘层减薄至厚度在100nm以下；

所述步骤d还包括：对硅锗层减薄至覆盖所述第二绝缘层的上表面的厚度在100nm以下。

8.根据权利要求5-7任一项所述的制备方法，其特征在于，选择性外延生长形成所述硅锗层。

9.根据权利要求5-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层和第二绝缘层均为氧化硅。

10.权利要求1-4任一项所述的多层绝缘体上硅锗衬底用于制作全耗尽型晶体管的方法。