[发明专利]图像传感器及用于图像传感器的隔离散射结构的制备方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

光电二极管；

光程增强结构，所述光程增强结构包裹所述光电二极管；以及

金属互联层，所述金属互联层位于所述光程增强结构及光电二极管的下方。

2.根据权利要求1中所述的图像传感器，其特征在于，所述光程增强结构对光电二极管形成全包裹，包括如下结构：

一反射层，所述反射层用于反射背面的光；

一隔离散射结构，所述隔离散射结构位于反射层上方，为三面包围型。

3.根据权利要求1中所述的图像传感器，其特征在于，所述反射层为金属层或氧化物金属叠层。

4.一种用于图像传感器的隔离散射结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一带有反射层的传感器，所述传感器的入光面为光电二极管层；

在所述入光面上形成一图形化的凹槽阻挡层；

刻蚀所述光电二极管层，形成凹槽；

对所述凹槽进行晶相选择性刻蚀；

去除所述凹槽阻挡层；

填充光束缚层和钝化层，形成隔离散射结构。

5.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于，所述传感器的入光面的制备进一步包括如下步骤：

在所述传感器表面形成图形化的阻挡层，暴露出部分光电二极管层；

刻蚀所述阻挡层暴露出的光电二极管层；

继续对暴露出的光电二极管层进行晶相选择性刻蚀；

去除所述阻挡层，形成图形化的所述传感器的入光面。

6.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于，所述反射层为金属层或氧化物金属叠层。

7.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于，所述阻挡层和凹槽阻挡层采用氧化硅或氮化硅材料。

8.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于，所述刻蚀方法采用干法刻蚀或各向同性湿法刻蚀。

9.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于，所述光束缚层采用氧化硅材料；所述钝化层采用高介电常数材料，所采用的高介电常数材料为氧化铝或氮化硅。

10.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于，所述凹槽的形成，进一步包括如下步骤：

在凹槽阻挡层暴露出的光电二极管层表面进行第一次干法刻蚀，形成第一刻蚀槽；

在第一刻蚀槽的底部及侧壁沉积保护层；

垂直打掉第一刻蚀槽底部的保护层；

在第一刻蚀槽底部进行第二次干法刻蚀，形成第二刻蚀槽；

在第二刻蚀槽的底部和侧壁沉积保护层；

重复上述刻蚀和沉积的步骤，形成连续的带保护层的凹槽；

去除全部保护层。

11.根据权利要求10中所述的方法，其特征在于，所述保护层采用聚合物材料。