[发明专利]边缘曝光工具及使用边缘曝光工具的方法在审

申请号：	202110286051.5	申请日：	2021-03-17
公开（公告）号：	CN114460813A	公开（公告）日：	2022-05-10
发明（设计）人：	吴泳铤;陈裕凯	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	G03F7/20	分类号：	G03F7/20;H01L21/027
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	边缘曝光工具使用方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

一边缘曝光工具及使用边缘曝光工具的方法，边缘曝光工具可包括透镜调整装置，透镜调整装置能够自动化地调整边缘曝光透镜的多个参数以解决边缘曝光工具的操作参数的变化。在一些实施方式中，边缘曝光工具亦可包括控制器，控制器使用技术例如大数据探勘、机器学习、与类神经网络处理，能够决定用于边缘曝光透镜的边缘调整参数以及用于边缘曝光工具的曝光控制参数。透镜调整装置与控制器能够减少及/或防止边缘曝光工具的效能偏离容许值之外，可维持边缘曝光工具的操作效能并减少晶圆刮伤的可能性，并可减少可能由边缘曝光透镜的清洁与校准所引起的边缘曝光工具的停机时间。

技术领域

本揭示是关于边缘曝光工具及使用边缘曝光工具的方法。

背景技术

晶圆边缘曝光(wafer edge exposure,WEE)工具是一种半导体处理工具，其能够沿着晶圆的外周处理一晶圆的一边缘。作为一实例，WEE工具可用于曝光边缘上的光阻层以密封晶圆的边缘，同时使光阻层的其余部分没有曝光，从而可保护晶圆的边缘不受污染物影响。作为另一实例，WEE工具可用于曝光晶圆的边缘上的一光阻层以露出被光阻层覆盖的对准标记(alignment mark)，对准标记能够在后续的半导体制程期间对准晶圆。

发明内容

本揭示提供一边缘曝光工具，包含一边缘曝光透镜以及一透镜调整装置。透镜调整装置配置成根据一或多个边缘曝光透镜调整参数来自动化地调整边缘曝光透镜的一或多个参数。

本揭示提供一种使用边缘曝光透镜的方法，包含：透过一边缘曝光工具的一控制器决定用于边缘曝光工具的一边缘曝光透镜的一或多个边缘曝光透镜调整参数；透过控制器致使边缘曝光工具的一透镜调整装置根据一或多个边缘曝光透镜调整参数来调整边缘曝光透镜的一或多个参数；以及在边缘曝光透镜的一或多个参数被调整之后，透过控制器致使边缘曝光透镜引导辐射朝向一晶圆或大致靠近晶圆的一边缘处。

本揭示提供一边缘曝光工具，包含：一真空吸盘，配置成支撑一晶圆；一边缘曝光透镜，当真空吸盘转动晶圆时，边缘曝光透镜配置成引导辐射朝向晶圆的一边缘，边缘曝光透镜包含：一第一部分与一第二部分，第二部分与第一部分交界的；以及一透镜调整装置，包含：一第一透镜调整元件，配置成自动化地调整第一部分的一或多个第一参数，及一第二透镜调整元件，配置成自动化地调整第二部分的一或多个第二参数。

附图说明

本揭示的态样可由以下的详细叙述结合附图阅读来获得最佳的理解。应强调，根据工业标准实务，各特征并未按比例绘制，并且仅用于示意的目的。事实上，为了论述的清楚性，各特征的大小可任意地增加或缩小。

图1与图2是在此叙述的一示例性边缘曝光工具的图；

图3A-图3C是在此叙述的一示例性实施方式的图；

图4是图1与图2的一或多个装置的示例性组件的图；

图5与图6是相关于调整一边缘曝光透镜的示例性制程的流程图。

【符号说明】

100:边缘曝光工具

102:真空吸盘

104:晶圆

106:转轴

108:中心轴