[发明专利]超声换能器的制作工艺、超声换能器及核磁成像设备

权利要求书

1.一种超声换能器的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：

在圆弧面(210)上沿周向布置多个凹坑(220)，将多个阵元(100)与多个凹坑(220)一一对应安装；

将相邻阵元(100)粘黏在一起形成阵元聚焦体(110)后，阵元聚焦体(110)与圆弧面(210)脱离；

将阵元聚焦体(110)的凹凸两面分别形成电极；

阵元聚焦体(110)容设于外壳体(500)，且阵元聚焦体(110)与外壳体(500)的中心线重合。

2.根据权利要求1所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在将多个阵元(100)安装于凹坑(220)的步骤中，对圆弧面(210)底板加热，将加热软化的粘合剂涂抹于凹坑(220)和圆弧面(210)上，再将多个阵元(100)安装于凹坑(220)后，停止加热待粘合剂冷却固化。

3.根据权利要求1所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在相邻阵元(100)粘黏在一起形成阵元聚焦体(110)的步骤中，通过在相邻阵元(100)远离凹坑(220)一侧的缝隙内填充固化剂(680)。

4.根据权利要求1所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在阵元聚焦体(110)与圆弧面(210)脱离的步骤中，通过对圆弧面(210)底部加热，使得粘合剂粘性消失。

5.根据权利要求1所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在将阵元聚焦体(110)的凹凸两面分别形成电极的步骤中，通过对阵元聚焦体凹面(130)和阵元聚焦体凸面(120)镀导电体。

6.根据权利要求5所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在阵元聚焦体凹面(130)镀导电体的步骤之前，还包括：

将阵元聚焦体(110)安装于凹面保持架(300)；

在相邻阵元(100)远离凹面保持架(300)一侧的缝隙之间填充固化剂(680)。

7.根据权利要求6所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在将阵元聚焦体(110)安装于凹面保持架(300)的步骤中，对于凹面保持架(300)的底部加热，将加热软化的粘合剂涂抹于凹面保持架(300)的表面，再将阵元聚焦体(110)安装于凹面保持架(300)，之后，停止加热待粘合剂冷却固化。

8.根据权利要求5所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在阵元聚焦体凸面(120)镀导电体之前，还包括：

将阵元聚焦体(110)脱离凹面保持架(300)；

翻转阵元聚焦体(110)，使得阵元聚焦体凸面(120)向上；

将阵元聚焦体(110)安装于凸面保持架(400)。

9.根据权利要求8所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在阵元聚焦体(110)脱离凹面保持架(300)的步骤中，通过对凹面保持架(300)的底部加热，使得粘合剂粘性消失。

10.根据权利要求8所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在阵元聚焦体(110)安装于凸面保持架(400)的步骤中，对凸面保持架(400)的底部加热，将加热软化的粘合剂涂抹于凸面保持架(400)的表面，再将阵元聚焦体(110)安装于凸面保持架(400)，之后，停止加热待粘合剂冷却固化。

11.根据权利要求1所述的超声换能器的制作工艺，其特征在于，在阵元聚焦体(110)容设于外壳体(500)的步骤中，对凸面保持架(400)的底部加热，将加热软化的粘合剂涂抹于凸面保持架(400)朝向阵元聚焦体(110)一侧，将外壳体(500)安装于凸面保持架(400)朝向阵元聚焦体(110)一侧后，停止加热待粘合剂冷却固化。