[发明专利]发光显示装置及其像素在审
申请号: | 202110284987.4 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN113516950A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 金玄俊;郑浚琦 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 梁洪源;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 像素 | ||
1.一种发光显示装置的像素,所述像素包括:
电容器,所述电容器包括耦接到第一电源电压的线的第一电极和耦接到栅节点的第二电极;
第一晶体管,所述第一晶体管包括第一端子、第二端子和耦接到所述栅节点的栅极;
第二晶体管,所述第二晶体管包括接收栅写入信号的栅极、耦接到数据线的第一端子和耦接到所述第一晶体管的所述第一端子的第二端子;
第三晶体管,所述第三晶体管包括接收扫描信号的栅极、耦接到所述第一晶体管的所述第二端子的第一端子和耦接到所述栅节点的第二端子;
第四晶体管,所述第四晶体管包括接收栅初始化信号的栅极、耦接到初始化电压的线的第一端子和耦接到发光二极管的阳极的第二端子;
第五晶体管,所述第五晶体管包括接收第一发射信号的栅极、耦接到所述第一电源电压的所述线的第一端子和耦接到所述第一晶体管的所述第一端子的第二端子;
第六晶体管,所述第六晶体管包括接收第二发射信号的栅极、耦接到所述第一晶体管的所述第二端子的第一端子和耦接到所述发光二极管的所述阳极的第二端子;以及
包括所述阳极和耦接到第二电源电压的线的阴极的所述发光二极管,
其中,所述扫描信号和所述栅写入信号被以第一频率提供,并且所述第一发射信号、所述第二发射信号和所述栅初始化信号被以高于所述第一频率的第二频率提供。
2.根据权利要求1所述的像素,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管是P型金属氧化物半导体晶体管,并且
其中,所述第三晶体管和所述第六晶体管是N型金属氧化物半导体晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管是P型金属氧化物半导体晶体管,并且
其中,所述第三晶体管是N型金属氧化物半导体晶体管。
4.根据权利要求1所述的像素,其中,所述第二频率是固定频率,并且所述第一频率是可变频率。
5.根据权利要求1所述的像素,
其中,所述发光二极管是有机发光二极管,并且所述发光显示装置是有机发光二极管显示装置,
其中,所述第二频率与所述有机发光二极管显示装置的可变输入帧频率的最大频率的两倍相对应,并且
其中,所述第一频率对应于所述第二频率除以N,其中,N是大于1且小于或等于所述最大频率的整数。
6.根据权利要求1所述的像素,其中,所述发光二极管是有机发光二极管,所述发光显示装置是有机发光二极管显示装置,并且所述有机发光二极管显示装置的帧时段包括:
所述栅节点和所述阳极被初始化的栅极和阳极初始化时段;
所述数据线的数据电压被写入所述电容器的数据写入时段;
偏置被施加到所述第一晶体管的第一偏置时段;
所述有机发光二极管发光的第一发射时段;
所述阳极被初始化的阳极初始化时段;
所述偏置被施加到所述第一晶体管的第二偏置时段;以及
所述有机发光二极管发光的第二发射时段。
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