[发明专利]一种采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件及制备方法在审

专利信息
申请号: 202110282945.7 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN113054046A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 蒋猛;彭寿;潘锦功;傅干华;东冬冬;向锦;张丽丽;李夢娜 申请(专利权)人: 成都中建材光电材料有限公司
主分类号: H01L31/048 分类号: H01L31/048;H01L31/0445;H01L31/18
代理公司: 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 代理人: 彭小雨;李佳
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 技术 制备 薄膜 太阳能电池 组件 方法
【权利要求书】:

1.一种采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件,其特征在于:包括依次层叠的顶面玻璃层、分切芯片层、背板玻璃层;所述分切芯片层为薄膜太阳能电池芯片与叠拼块交替叠拼制备而成低电压的分切芯片层。

2.根据权利要求1所述的采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件,其特征在于:所述薄膜太阳能电池芯片为硫化镉、碲化镉、铜铟镓硒、钙钛矿其中一种或多种材质。

3.根据权利要求1所述的采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件,其特征在于:所述分切芯片层的顶面和底面设置有封装胶膜层。

4.根据权利要求1所述的采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件,其特征在于:所述叠拼块为玻璃或块状材料。

5.根据权利要求1所述的采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件,其特征在于:所述薄膜太阳能电池芯片和叠拼块为块状交替叠拼。

6.根据权利要求1所述的采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件,其特征在于:所述薄膜太阳能电池芯片和叠拼块为片状交替叠拼。

7.根据权利要求1所述的采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件,其特征在于:所述薄膜太阳能电池组件的电压为12-80V。

8.根据权利要求1所述的采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件,其特征在于:所述封装胶膜层为PVB胶膜或POE胶膜。

9.根据权利要求1所述的采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件,其特征在于:所述背板玻璃层为半钢化玻璃。

10.根据权利要求1所述的采用叠拼技术制备的薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

S1提供一背板玻璃层;

S2铺设一封装胶膜层一于背板玻璃层顶面;

S3将太阳能电池芯片和叠拼块交替叠拼组成一分切芯片层;

S4铺设一封装胶膜层二于分切芯片层顶面;

S5将顶面玻璃层覆盖在封装胶膜层二顶面。

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