[发明专利]刷新控制电路及存储器在审
申请号: | 202110276359.1 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN115083467A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 曹先雷 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刷新 控制电路 存储器 | ||
本发明实施例提供一种刷新控制电路及存储器,刷新控制电路包括:随机输出模块,用于顺序接收a个单行地址中的n个单行地址和m个单行地址,n个单行地址指向的字线的单次开启时间大于预设时间,m个单行地址的出现频次排名前m,a个单行地址为相邻刷新命令之间开启的字线对应的单行地址,n为自然数,m为正整数;以及用于接收第一随机数,第一随机数为小于等于n+m的正整数,并在接收到第一随机数之后,输出第i个接收到的单行地址,i等于第一随机数;行锤地址生成模块,用于输出接收到的单行地址对应的行锤地址,行锤地址作为刷新命令的刷新对象。本发明实施例有利于兼顾不同类型的行锤地址的优先刷新。
技术领域
本发明实施例涉及半导体领域,特别涉及一种刷新控制电路及存储器。
背景技术
随着半导体存储装置的密度不断增加,存储器单元呈现物理体积缩小、存储电荷减少以及抗噪声容限降低的特点,存储器单元之间的电磁相互作用对存储器单元的影响增大,存储器单元数据丢失的可能性增加。
具体地,当存储器单元中某一单行地址对应的字线被频繁开启或者长时间开启时,可能引发相邻地址(一般称为“行锤地址”)的电容器的漏电速率高于自然漏电速率,进而导致相邻地址的电容器在刷新信号到来之前因丢失过多电荷而发生数据丢失,这种情况一般称之为“行锤效应”;为抑制行锤效应,需要对行锤地址进行及时的刷新,以重新补充电荷,避免存储数据发生错误。
发明内容
本发明实施例提供一种刷新控制电路及存储器,有利于兼顾不同类型的行锤地址的刷新。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种刷新控制电路,包括:随机输出模块,用于顺序接收多个单行地址,所述多个单行地址包括a个所述单行地址中的n个所述单行地址和a个所述单行地址中的m个所述单行地址,n个所述单行地址指向的字线的单次开启时间大于预设时间,m个所述单行地址的出现频次排名前m,所述a个单行地址为相邻刷新命令之间开启的字线对应的所述单行地址,n为自然数,m为正整数;以及用于接收第一随机数,所述第一随机数为小于等于n+m的正整数,并在接收到所述第一随机数之后,输出第i个接收到的所述单行地址,i等于所述第一随机数;行锤地址生成模块,与所述随机输出模块的输出端连接,用于输出接收到的所述单行地址对应的行锤地址;信号选择器,用于接收常规刷新地址和所述行锤地址,并输出地址信息,所述地址信息为所述行锤地址,或者,为所述行锤地址和所述常规刷新地址,所述地址信息作为所述刷新命令对应的刷新对象。
另外,所述随机输出模块用于顺序接收并顺序存储所述多个单行地址,以及用于在接收到所述第一随机数之后,输出种子地址,所述种子地址包括第i 个接收到的所述单行地址;还用于在输出所述种子地址之后,删除存储的所述种子地址。
另外,所述随机输出模块还用于在输出所述种子地址之后,删除存储的所有所述单行地址。
另外,刷新控制电路还包括:第一随机单元,用于随机生成并输出第一正整数;取余单元,分别与所述随机输出模块和所述第一随机单元连接,用于获取所述n+m的值和所述第一正整数,以及计算所述第一正整数除以所述n+m的值的余数,并输出所述余数加1的值,以作为所述第一随机数。
另外,刷新控制电路还包括:超时选择模块,与所述随机输出模块的输入端连接,用于顺序接收a个行激活命令、a个预充电命令以及所述a个行激活命令对应的所述a个单行地址,每一所述行激活命令与一单行地址对应,所述行激活命令用于开启所述单行地址指向的字线,所述预充电命令用于关闭所述字线,若n条所述字线的单次开启时间大于所述预设时间,则输出n条所述字线对应的n个所述单行地址,0≤n≤a。
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