[发明专利]光掩模以及显示装置的制造方法

说明书

本发明提供光掩模以及显示装置的制造方法，具有通过使用中紫外曝光用光进行曝光，从而在被转印体上转印微细的孔图案的优异的转印性能。一种光掩模，光掩模是显示装置制造用的光掩模，光掩模用于在被转印体上使用中紫外曝光用光形成尺寸为Dp且Dp≤3μm的孔图案，在透明基板上具有包含孔图案的转印用图案，转印用图案中的孔图案由被半调区域包围的透光部构成，对于用于对光掩模进行曝光的中紫外曝光用光中包含的基准波长的光，透光部与半调区域的相位差θ大致为180度，并且半调区域对于基准波长的光的透射率T为10％≤T≤35％。

技术领域

本发明涉及光掩模，特别是涉及有利于高精细的显示装置制造用的光掩模、以及使用了该光掩模的显示装置的制造方法。

背景技术

专利文献1中记载了显示装置制造用的相移掩模坯料、以及由该相移掩模坯料制造的相移掩模。在专利文献1中，还记载了利用包含i线、h线以及g线的复合光来对该相移掩模进行曝光的技术。

专利文献2中记载了一种显示装置制造用的相移掩模坯料，其具备表现出对曝光用光的波长依赖性得到了抑制的光学特性的相移膜。该相移掩模坯料中的相移膜对波长365nm的透射率为3.5％以上且8％以下的范围，波长365nm时的相位差为160度以上且200度以下的范围，波长365nm以上且436nm以下的范围内的透射率依赖于波长的变化量为5.5％以内。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2014-194531号公报

[专利文献2]日本特开2015-102633号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在包括LCD(液晶显示器)或OLED显示器(有机EL显示器)的显示装置中，近年来，除了明亮且高精细的显示性能以外，还有对节电、动态图像的响应速度等显示性能的需求。因此，认为在这些显示装置的制造过程中使用的光掩模的图案也期望越来越微细化、高集成化，进而期望将光掩模所具有的图案精致地解像到被转印体(显示面板基板等)的技术。

然而，如果不能够将光掩模所具有的转印用图案光学地解像到被转印体上，则无法构成具有所希望的精细图案的显示装置。在此，光学像的空间分辨率能够通过瑞利(Rayleigh)的分辨率基准式、即以下的式(1)来表示。

δ＝k1×λ/NA…(1)

在此，δ是最小分辨线宽，λ是曝光波长，NA是曝光装置的光学系统所具有的数值孔径，k1是也被称为k1因子的系数。

在显示装置(以下，也称为FPD(Flat Panel Display：平板显示器))的领域中，作为用于曝光的光，使用高压水银灯的特定的波长区域。即，已知有如下的曝光用光的应用：该曝光用光使用包含多个波长的光并将它们混合而成的波段(以下，也称为宽波段)的光，特别是包含高压水银灯的光中包含的波长光的g线(波长436nm)、h线(波长405nm)及i线(波长365nm)这3个波长的光(参照专利文献1、2)。

另一方面，根据上述式(1)，为了提高针对微细的图案的分辨率(即，减小最小分辨线宽δ)，减小λ或者增大NA是有效的。然而，对于NA的提高，根据以下的式(2)，由于焦深减少，因此能够理解会使光刻工艺的稳定性相对地恶化。式(2)也被称为瑞利(Rayleigh)的焦深式。

DOF＝k2×λ/NA²…(2)

在此，DOF(Depth of focus)是指焦深，k2是系数。

式(2)的左边的值的大小与上述的分辨率基准式(式(1))的优劣的关系性反转。即，在式(1)中优选左边的值小，但在式(2)中却相反地期望左边的值大。