[发明专利]一种IGBT晶圆的加工工艺

权利要求书

1.一种IGBT晶圆的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在做好深沟槽闸极的IGBT晶圆正面沉积ILD层；

S2、将做好ILD层的晶圆正面永久键合硅基载板；

S3、翻转硅基载板完成晶圆背面减薄，然后在晶圆背面植入离子，并通过高温回火使植入的离子活化；

S4、在回火处理后的晶圆背面制作反面金属镀膜；

S5、将晶圆背面暂时键合玻璃载板、翻转玻璃载板，通过研磨、蚀刻的方式除去硅基载板；

S6、蚀刻ILD层形成缓坡状接触孔，并通过溅镀厚膜Al，在接触孔中完整的填充，形成IGBT的Emittor结构；

S7、在晶圆正面进行金属镀膜、黄光及蚀刻，形成正面金属图形及PAD键合区；

S8、解键合，移除玻璃载板，清洗除去黏着层，完成IGBT晶圆加工；

步骤S2中晶圆正面永久键合硅基载板的方法包括以下步骤：

S201、将硅基载板和IGBT晶圆ILD层表面清洗干净并去除自然氧化层，通过电浆对硅基载板表面处理，激发硅基载板原子活性键；

S202、将IGBT晶圆键合在硅基载板表面，然后一起放入高温炉管中进行高温回火，使IGBT晶圆LID层与硅基载板形成永久键合结构。

2.根据权利要求1所述的IGBT晶圆的加工工艺，其特征在于，所述步骤S1中ILD层沉积方法为LPCVD、APCVD和PECVD的一种，所述ILD层底层为无掺杂的电介质，ILD层上层为掺杂P的电介质。

3.根据权利要求1所述的IGBT晶圆的加工工艺，其特征在于，所述步骤S202中高温回火的温度为800-1400℃，高温炉管的升温速率＜15℃/min。

4.根据权利要求1所述的IGBT晶圆的加工工艺，其特征在于，所述步骤S3中晶圆背面减薄后厚度为＜150um，所述高温回火通过炉管或者快速LAMP加热装置RTP进行加热。

5.根据权利要求1所述的IGBT晶圆的加工工艺，其特征在于，所述步骤S6中缓坡状接触孔的侧壁倾斜角度为75-85°，所述溅镀厚膜Al时温度＞400℃。