[发明专利]近红外窄波段选择性光电探测器

权利要求书

1.一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于包括基底(1)以及从基底(1)自下而上顺次层叠的透明电极层(2)、空穴传输层(3)、可见光滤镜层(4)、电子滤镜层(5)、近红外活性层(6)、空穴阻挡层(7)和金属电极层(8)；所述可见光滤镜层(4)为有机-无机杂化钙钛矿薄膜材料，由甲脒氢碘酸盐和碘化铅的N,N-二甲基甲酰胺溶液在空穴传输层(3)上旋涂成膜后退火而成；所述电子滤镜层(5)为CuSCN薄膜；所述的近红外活性层(6)为PTB7-TH和IEICO-4F的复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于所述的基底(1)的材料为玻璃或石英。

3.根据权利要求1所述的一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于所述的透明电极层(2)的材料为银、铝、镁、铜、金、氧化铟锡或氟掺氧化铟锡。

4.根据权利要求1所述的一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于所述的空穴传输层(3)的材料为PEDOT:PSS、PTAA、CuOx或NiOx。

5.根据权利要求1所述的一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于所述的可见光滤镜层(4)制备方法为：将甲脒氢碘酸盐、碘化铅混合溶解于N,N-二甲基甲酰胺中，碘化铅与N,N-二甲基甲酰胺的配比为50-800毫克:1毫升，甲脒氢碘酸盐和碘化铅的摩尔比为1:1，搅拌过夜，获得前驱体溶液；采用溶液旋涂的方法，取前驱体溶液在空穴传输层(3)上旋涂成膜，然后退火。

6.根据权利要求1所述的一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于所述的可见光滤镜层(4)厚度范围为0.3-2微米。

7.根据权利要求1所述的一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于所述的电子滤镜层(5)厚度范围为20-200纳米。

8.根据权利要求1所述的一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于所述的可见光滤镜层(4)制备过程中，旋涂采用的旋转速度范围1000-6000转/分钟，旋转时间范围20-80秒；退火温度范围70-150℃，退火时间范围1-10分钟。

9.根据权利要求1所述的一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于所述的空穴阻挡层(7)的材料为C60或ZnO或BCP。

10.根据权利要求1所述的一种近红外窄波段选择性光电探测器，其特征在于所述的金属电极层(8)的材料为银/铝混合物、银、铝或金。