[发明专利]一种PVDF压电薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202110270126.0 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN112885956A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 管建国;杨少华;周长阳;胡志军;管涛 | 申请(专利权)人: | 三三智能科技(日照)有限公司 |
主分类号: | H01L41/047 | 分类号: | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/193;H01L41/29;H01L41/333 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 卜令涛 |
地址: | 276800 山东省日照市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pvdf 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种PVDF压电薄膜,其特征在于:包括PVDF压电薄膜层(1),压电薄膜层的上表面具有凸出的压力感应微结构阵列(101),下表面具有凹型沟槽结构(102);凹形沟槽结构(102)内填充导电材料(3),导电材料(3)通过导线(201)与控制模块(2)连接。
2.根据权利要求1所述的PVDF压电薄膜,其特征在于:凸出的压力感应微结构(101)的形状为棱锥、圆锥、圆台、半球体、圆柱、棱柱中的任何一种或两种及以上的组合。
3.根据权利要求2所述的PVDF压电薄膜,其特征在于:凸出的压力感应微结构(101)在PVDF压电薄膜上表面的排布方式为矩形、三角形、六边形、八边形、平行四边形中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的PVDF压电薄膜,其特征在于:凹型沟槽结构(102)填充的导电材料是纳米银颗粒、纳米银线、纳米金颗粒、纳米金线、纳米铜线、纳米铜颗粒、PH1000、石墨烯、碳纳米管中的任意一种或两种及以上的组合。
5.根据权利要求4所述的PVDF压电薄膜,其特征在于:凹型沟槽结构(102)的截面形状为矩形、V形、梯形、半圆形、五边形、六边形中的任意一种。
6.根据权利要求5所述的PVDF压电薄膜,其特征在于:凹型沟槽结构(102)槽口宽度尺寸为500nm~50μm,凹槽深度与槽口宽度比为0.1~10。
7.根据权利要求1所述PVDF压电薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:根据产品需要,确定PVDF压电薄膜层上表面压力感应微结构和下表面凹型沟槽结构的形状、分布及尺寸,并在双面卷对卷热压机的道具辊和压力辊上进行相应设置;
步骤二:使用双面卷对卷热压机将PVDF压电薄膜(1)进行压印,形成上表面的压力感应微结构阵列(101)和下表面的凹型沟槽结构(102),压印完成后,将PVDF压电薄膜(1)从模具中剥离;
步骤三:使用刮涂设备或旋涂设备在下表面的凹型沟槽结构(102)中填入导电材料(3),并加热固化;
步骤四:将经过固化后的导电材料通过导线(201)与控制模块连接。
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