[发明专利]基板载置台及基板处理装置

说明书

本发明提供恰当地控制用于载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。该基板载置台具有：载置台主体，在该载置台主体的内部具有被冷却面；以及供给流路形成构件，该供给流路形成构件由导热性较所述载置台主体低的材料形成，且具有朝向所述被冷却面喷射制冷剂的冷却喷嘴。

技术领域

本公开涉及基板载置台及基板处理装置。

背景技术

已知有对载置于基板载置台的晶圆等基板实施所期望的处理(成膜、蚀刻等)的基板处理装置。另外，已知有控制被载置的基板的温度的基板载置台。

在专利文献1中公开了一种静电卡盘组件，其具有：静电卡盘；冷却板，其与所述静电卡盘相接触地配设，并且具有形成于其中的气体通道；以及气体箱，其与所述冷却板的所述气体通道的第1端部及第2端部相结合，能够以控制在所述气体通道流通的冷却气体的流量的方式工作。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2018-501653号公报

发明内容

发明要解决的问题

在基板处理装置中，对载置于基板载置台的基板实施所期望的处理时，要求恰当地控制基板的温度。

本公开的一技术方案提供恰当地控制载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案所涉及的基板载置台具有：载置台主体，在其内部具有被冷却面；以及供给流路形成构件，其由导热性较所述载置台主体低的材料形成，且具有朝向所述被冷却面喷射制冷剂的冷却喷嘴。

发明的效果

根据本公开的一技术方案，能够提供恰当地控制载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。

附图说明

图1是一实施方式所涉及的基板处理装置的剖面示意图的一个例子。

图2是基板载置台的局部放大剖面示意图的一个例子。

图3是供给流路形成构件的俯视图的一个例子。

图4是利用基板载置台进行温度控制的一个例子。

图5是供给流路形成构件的俯视图的另一个例子。

具体实施方式

以下，参照附图对用于实施本公开的方式进行说明。在各附图中，对于相同的结构部分标注相同的附图标记，存在省略重复说明的情况。

＜基板处理装置1＞

使用图1说明一实施方式所涉及的基板处理装置1。图1是一实施方式所涉及的基板处理装置1的剖面示意图的一个例子。

基板处理装置1具有真空容器2、气体供给部3以及基板载置台4。基板处理装置1例如是热CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置，且是自气体供给部3向真空容器2内供给处理气体进而对在真空容器2内的基板载置台4载置的晶圆等基板W实施所期望的处理(例如成膜处理)的装置。

真空容器2具有真空端口(未图示)以及送入送出端口(未图示)。真空端口与排气装置(未图示)连接，以真空容器2内成为真空气氛的方式进行减压。送入送出端口构成为能够开闭，构成为能够经由送入送出端口将基板W向真空容器2内送入以及从真空容器2内送出。