[发明专利]一种光刻通孔热点识别方法

说明书

本发明提供了一种光刻通孔热点识别方法，包括获取版图信息；将用于连接所述连接层的通孔层的V0的侧边分别向外移动，将移动至触及相邻切断层图形的侧边扫过的矩形区域识别为扩充区；获取所述V0周围的扩充区数量，并根据V0周围的扩充区数量来识别所述V0是否为光刻通孔热点。能够实现方便、有效和快捷地对用于版图设计热点的搜索与分析。过程简洁，识别结果直观准确，有利于生产工艺的改进和效率提高。

技术领域

本发明关于半导体设计和生产领域，具体涉及一种对版图中的光刻通孔热点进行识别的方法。

背景技术

随着集成电路生产工艺技术节点不断推进，集成电路的设计变得越来越复杂。现今应用于集成电路生产的主流光刻工艺，其光波波长却一直维持在193nm。在曝光机台波长不更新的情形下，曝光图形尺寸的却不断缩小，进而会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较差的光刻图形，称之为光刻缺陷热点图形，一般是指版图中具有某种几何特征以及特征尺寸在某个范围内的容易引起光刻缺陷的图形或者图形组合。

光刻通孔热点也属于一种光刻缺陷热点图形，比如被金属切断层以U型包围的通孔，可参考图1。因为图形光刻过程中由于光学邻近效应的存在，曝光后的图形相比版图上的图形拐角处会变圆滑，从而影响到通孔层在相应层上的覆盖面积，可能导致连接失效。

在实际的制造生产中，因不同制造厂商处理方式不同，光刻缺陷热点图形不一定都会实际引起光刻缺陷，也就是对于不同制造厂商来说，实际导致光刻缺陷发生的光刻缺陷热点图形可能是不同的。对于光刻缺陷热点图形的处理方法包括在流片前优化原始的版图设计，以及对检查出的光刻工艺热点进行特殊工艺处理。

因此，如果有一种有效的能够提前在大量的版图数据中快速准确地识别出光刻通孔热点的方法，对制造厂商进行设计生产等的指导具有重大的实际意义。相反如果没有这种专门的方法，这对于光刻工艺及设计的进一步完善是很不利的。

发明内容

本发明是基于上述现有技术的全部或部分问题而进行的，目的在于提供一种光刻通孔热点识别方法，可用于在大量的版图数据中进行搜索和定位光刻通孔热点。在本申请以下叙述中涉及的名词以及相关技术原理所有解释或定义仅是进行示例性而非限定性说明。

本发明提供的一种光刻通孔热点识别方法，包括步骤S1.获取版图信息，包括：M0层、M0切断层和用于连接所述M0层的通孔层；所述M0层中的M0用于连接有源区；所述M0切断层中的切断记为M0C记为M0C；所述通孔层的通孔呈矩形，记为V0；步骤S2.将V0的四条侧边分别沿着垂直于该侧边的方向朝矩形外移动，直至满足条件则停止移动；所述条件包括触及所述M0C、移动的距离达到预设的第一距离；将移动至触及M0C停止的侧边扫过的矩形区域识别为扩充区；步骤S3.获取所述V0周围的扩充区数量，并根据V0周围的扩充区数量来识别所述V0是否为光刻通孔热点。

在实际应用中，由于第一层金属层、第一层通孔层、相应金属层切断层M0C相应图形尺寸更小，光刻通孔热点问题更为明显，此时所述连接层M0为第一层金属层；所述切断层M0C为第一层金属层切断层；所述用于连接M0的通孔层为第一层通孔层。本申请的具体实施方式就以第一层金属层、第一层通孔层、相应金属层切断层为例来说明。四条侧边分别向外移动的预设距离可以各不相同，也可以全部或部分相同。于步骤S2中所述停止移动的条件还包括，触及另一个通孔V0。

四条所述侧边向外移动的距离，包括：沿着M0延伸方向移动的距离和垂直于M0延伸方向移动的距离；且沿着垂直于M0延伸方向移动的距离不大于相邻的两个M0中线之间的距离，即相邻M0之间的pitch值。

所述步骤S3中，将周围有三个扩充区的V0判断为光刻通孔热点；所述步骤S3中还包括获取识别到的光刻通孔热点与其相邻的三个M0C之间的距离信息，并评估该光刻通孔热点产生制造缺陷的风险大小。

所述光刻通孔热点与其相邻的三个M0C之间的距离信息包括：在两个不同方向上的第一方向间距和第二方向间距。