[发明专利]一种光刻通孔热点识别方法在审
申请号: | 202110263882.0 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN114695155A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 胡佳南;潘伟伟 | 申请(专利权)人: | 杭州广立微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B21/16;G01B21/20 |
代理公司: | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人: | 赵新民 |
地址: | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 热点 识别 方法 | ||
1.一种光刻通孔热点识别方法,其特征在于,包括:
步骤S1.获取版图信息,包括:M0层、M0切断层和用于连接所述M0层的通孔层;所述M0层中的M0用于连接有源区;所述M0切断层中的切断记为M0C;所述通孔层的通孔呈矩形,记为V0;
步骤S2.将V0的四条侧边分别沿着垂直于该侧边的方向朝矩形外移动,直至满足条件则停止移动;所述条件包括触及所述M0C、移动的距离达到预设的第一距离;将移动至触及M0C停止的侧边扫过的矩形区域识别为扩充区;
步骤S3.获取所述V0周围的扩充区数量,并根据V0周围的扩充区数量来识别所述V0是否为光刻通孔热点。
2.根据权利要求1所述的一种光刻通孔热点识别方法,其特征在于,于步骤S2中所述停止移动的条件还包括:触及另一个通孔V0。
3.根据权利要求2所述的一种光刻通孔热点识别方法,其特征在于,四条所述侧边向外移动的距离,包括:沿着M0延伸方向移动的距离和垂直于M0延伸方向移动的距离;且沿着垂直于M0延伸方向移动的距离不大于相邻的两个M0中线之间的距离。
4.根据权利要求1所述的一种光刻通孔热点识别方法,其特征在于,所述步骤S3中,具体为将周围有三个扩充区的V0判断为光刻通孔热点。
5.根据权利要求4所述的一种光刻通孔热点识别方法,其特征在于,所述步骤S3中还包括获取识别到的光刻通孔热点与其相邻的三个M0C之间的距离信息,并评估该光刻通孔热点产生制造缺陷的风险大小。
6.根据权利要求5所述的一种光刻通孔热点识别方法,其特征在于,所述光刻通孔热点与其相邻的三个M0C之间的距离信息包括:在两个不同方向上的第一方向间距和第二方向间距。
7.根据权利要求6所述的一种光刻通孔热点识别方法,其特征在于,获取第一方向间距和第二方向间距的具体过程包括:
将识别到的光刻通孔热点及其接触的扩充区组成的T形图形记为第一目标区;将所述第一目标区扩展成包含其的面积最小的第一矩形;
将第一矩形减去第一目标区之后剩下的矩形各记为第二矩形;并设扩充区中,与所述光刻通孔热点重合的扩充边缘长度为扩充区的宽,与宽相垂直的扩充边缘长度为扩充区的长;
将所述第一目标区的三个扩充区中,与其中两个第二矩形都接触的扩充区记为第一扩充区,剩下的两个扩充区分别记为第二扩充区,所述第一方向间距即第一扩充区的长,所述第二方向间距即第二扩充区的长。
8.根据权利要求7所述的一种光刻通孔热点识别方法,其特征在于,还对识别到的光刻通孔热点进行筛选,筛选步骤包括:
判断第一方向间距是否符合所述第一方向范围,如符合则判定该第一扩充区有效;判断第二方向间距是否符合所述第二方向范围,如符合则判定该第二扩充区有效;当一个光刻通孔热点周围的第一扩充区和第二扩充区都有效时,将所述光刻通孔热点筛选出来。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造