[发明专利]一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法在审
| 申请号： | 202110263201.0 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113054057A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李浩杰;刘向阳;张燕;王玲;许金通;李向阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 三元 合金 钝化 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法，其特征在于方法如下：
将光刻后的氮化镓或氮化镓三元合金器件浸没在钝化液A或B中进行钝化，取出后用去离子水清洗，并用氮气吹干；外延生长二氧化硅或氮化硅钝化层；器件制备完成后再次使用钝化液A或B进行二次溶液钝化；器件钝化时的钝化温度为20℃～40℃，钝化时间为5min～30min。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法，其特征在于，所述的钝化液A为0.01±0.001mol/L的氯化钌和0.0015±0.0001mol/L的硝酸的混合溶液。
3.根据权利要求1所述的一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法，其特征在于，所述的钝化液B为0.01±0.001mol/L的硫化钠和0.0015±0.0001mol/L的硝酸的混合溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所，未经中国科学院上海技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110263201.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
