[发明专利]一种热敏型探测器结构及其集成方法

权利要求书

1.一种热敏型探测器结构，其特征在于，包括：

具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；

其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层是由Ge_1-xSn_x层和Ge_1-ySi_y层交替堆叠形成的n层结构，0＜x≤0.3，0＜y≤0.3，n≥2。

2.根据权利要求1所述的热敏型探测器结构，其特征在于，所述介质层为氧化硅层。

3.一种热敏型探测器结构的集成方法，其特征在于，包括：

提供牺牲衬底和具有读出电路结构的支撑衬底，所述牺牲衬底由背衬底、本征层和P型掺杂锗层依次堆叠而成；所述本征层是由Ge_1-xSn_x层和Ge_1-ySi_y层交替堆叠形成的n层结构，0＜x≤0.3，0＜y≤0.3，n≥2；

在所述支撑衬底靠近所述读出电路结构的表面依次堆叠形成第一介质层、无定形硅层；

对所述无定形硅层进行光刻和刻蚀，使其仅覆盖所述第一介质层的部分表面，然后沉积第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层接壤并将所述无定形硅层包裹；

在沉积所述第二介质层后，分别以所述支撑衬底中所述读出电路结构、所述P型掺杂锗层为键合面，将所述支撑衬底和所述牺牲衬底键合；

去除所述背衬底；

在所述本征层的表面形成N型掺杂锗层；

刻蚀去除所述无定形硅层，使所述第二介质层和所述第一介质层之间形成空腔结构。

4.根据权利要求3所述的集成方法，其特征在于，所述第二介质层和所述第一介质层均为氧化硅层。

5.根据权利要求3所述的集成方法，其特征在于，所述背衬底为硅。

6.根据权利要求3所述的集成方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积法形成所述第一介质层和所述第二介质层。

7.根据权利要求3所述的集成方法，其特征在于，在键合之前还对所述第二介质层进行化学机械抛光处理。

8.根据权利要求3所述的集成方法，其特征在于，采用外延法形成所述N型掺杂锗层。

9.根据权利要求3所述的集成方法，其特征在于，采用磨抛、湿法腐蚀、干法刻蚀和化学机械抛光中的至少一种去除所述背衬底。