[发明专利]一种高膜厚高弧度3D后盖膜片的制备工艺

权利要求书

1.一种高膜厚高弧度3D后盖膜片的制备工艺，包括：

A）采用硬度为2H的UV胶水在PET基材上进行UV转印，在所述PET基材表面形成纹理层；

B）在所述纹理层的表面依次磁控溅射厚度为2~3nmSi层、Nb₂O₅层和厚度为30~90nmSiO₂层；

形成所述Nb₂O₅层的磁控溅射条件为：真空度1.0~5.0×10^-3Pa，Ar₂流量700~900sccm，O₂流量130sccm，溅射功率为10~20kW；

C）重复所述步骤B）中依次磁控溅射Nb₂O₅层和SiO₂层的步骤，直至获得所需颜色；

D）在SiO₂层的表面磁控溅射厚度为10~20nm的Si层，得到NCVM镀层；

E）在所述NCVM镀层表面进行丝印，激光切割和真空贴合，得到高膜厚高厚度3D后盖膜片。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，形成所述Si层的磁控溅射条件为：真空度1.0~5.0×10^-3Pa，Ar₂流量700~900sccm，溅射功率为10~20kW。

3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，形成所述Nb₂O₅层的磁控溅射条件为：真空度2.0~4.0×10^-3Pa，Ar₂流量800~850sccm，O₂流量130sccm，溅射功率为14~16kW。

4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，形成所述SiO₂层的磁控溅射条件为：真空度1.0~5.0×10^-3Pa，Ar₂流量500~700sccm，O₂流量400~800sccm，溅射功率为10~20kW。

5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，形成所述SiO₂层的磁控溅射条件为：真空度2.0~4.0×10^-3Pa，Ar₂流量550~650sccm，O₂流量500~600sccm，溅射功率为14~16kW。

6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，先对所述纹理层进行等离子清洁，再进行磁控溅射；

所述等离子清洁的真空度为1.5~2.5×10^-2Pa，等离子源的电压为1200~1500V。