[发明专利]电容检测电路及输入装置

权利要求书

1.一种电容检测电路，其特征在于：检测传感器电极的电容，且具备：

感测引脚，连接所述传感器电极；

基准电容器；

第1驱动部，对所述感测引脚施加高电压或低电压；

第2驱动部，对所述基准电容器的第1端施加所述高电压或所述低电压；

第3驱动部，对所述基准电容器的第2端施加所述高电压或所述低电压；

第1开关，设置在所述感测引脚与所述基准电容器的第1端之间；及

第2开关，设置在后段电路块的输入与所述基准电容器的所述第1端之间。

2.根据权利要求1所述的电容检测电路，其特征在于：在第1阶段，所述第1驱动部对所述感测引脚施加所述高电压，所述第2驱动部对所述基准电容器的所述第1端施加所述低电压，所述第3驱动部对所述基准电容器的所述第2端施加高电压，

在第2阶段，接通所述第1开关，所述第3驱动部对所述基准电容器的所述第2端施加低电压，

在第3阶段，接通所述第2开关，所述第3驱动部对所述基准电容器的所述第2端施加低电压。

3.根据权利要求1或2所述的电容检测电路，其特征在于：在第4阶段，所述第1驱动部对所述感测引脚施加所述低电压，所述第2驱动部对所述基准电容器的所述第1端施加所述高电压，所述第3驱动部对所述基准电容器的所述第2端施加所述低电压，

在第5阶段，接通所述第1开关，所述第3驱动部对所述基准电容器的所述第2端施加低电压，

在第6阶段，接通所述第2开关，所述第3驱动部对所述基准电容器的所述第2端施加低电压。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电容检测电路，其特征在于：所述后段电路块包含ΔΣ调变器。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的电容检测电路，其特征在于：所述后段电路块包含积分器、及将所述积分器的输出转换成数字值的A/D转换器。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电容检测电路，其特征在于：

所述基准电容器为可变电容器，且包含：

多个电容元件；及

多个开关，设置在所述多个电容元件的一端与所述第1端之间。

7.根据权利要求6所述的电容检测电路，其特征在于：所述第2驱动部能够对所述多个电容元件各自的另一端，独立地施加所述高电压与所述低电压。

8.根据权利要求6或7所述的电容检测电路，其特征在于：所述基准电容器中，所述多个电容元件为MIM(Metal Insulator Metal)电容器，且多个电容元件的至少一部分的配置区域与供晶体管元件集成的区域重叠。

9.一种电容检测电路，其特征在于：检测传感器电极的电容，且具备：

感测引脚，连接所述传感器电极；

第1基准电容器；

第2基准电容器；

第1驱动部，对所述感测引脚施加高电压或低电压；

第2驱动部，对所述第1基准电容器的第1端施加所述高电压或所述低电压；

第3驱动部，对所述第1基准电容器的第2端施加所述高电压或所述低电压；

第4驱动部，对所述第2基准电容器的第1端施加所述高电压或所述低电压；

第5驱动部，对所述第2基准电容器的第2端施加所述高电压或所述低电压；

第1开关，设置在所述感测引脚与所述第1基准电容器的第1端之间；

第2开关，设置在具有差动输入的后段电路块的第1输入与所述第1基准电容器的所述第1端之间；

第3开关，设置在所述感测引脚与所述第2基准电容器的第1端之间；及

第4开关，设置在所述后段电路块的第2输入与所述第2基准电容器的所述第1端之间。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电容检测电路，其特征在于：一体集成在一个半导体集成电路上。

11.一种输入装置，其特征在于具备：

面板，包含传感器电极，使用者所接触的坐标附近的传感器电极的静电电容变化；及

根据权利要求1至10中任一项所述的电容检测电路，与所述传感器电极连接。