[发明专利]基板清洁用双流体喷嘴在审
申请号: | 202110251204.2 | 申请日: | 2021-03-08 |
公开(公告)号: | CN113380664A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 金贤信;韩万昊;金那炫;李仁五 | 申请(专利权)人: | HS高科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鹰 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 双流 喷嘴 | ||
1.一种基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,包括:
主体,配置有在内部流动气体的第一腔室及与所述第一腔室连通的第二腔室;
第一气体供应部,与所述第一腔室连通以对所述第一腔室供应气体;
液体供应部,具有与所述主体的中心轴线相同的中心轴线,且至少一部分布置在所述第二腔室内,并在所述液体供应部的端部配置有液体排出口;以及
气体排出口,与所述第二腔室连通,
所述第二腔室通过布置在所述第一腔室的内部的间隔壁形成在所述第一腔室的内部,且所述第二腔室的开口的上部与所述第一腔室连通。
2.根据权利要求1所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,
所述第二腔室的开口的上部与所述第一气体供应部相比位于上部。
3.根据权利要求1所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,
所述第一腔室的中心轴线与所述第二腔室的中心轴线彼此相同。
4.根据权利要求1所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,
所述第一气体供应部相对于所述主体的中心轴线偏心地布置在一侧。
5.根据权利要求4所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,还包括:
螺旋部,以布置在所述第二腔室内的方式配置在所述液体供应部的下部,且形成有与所述气体排出口连通的多个螺旋流路,
所述多个螺旋流路的螺旋方向与通过所述第一气体供应部被供应到所述第一腔室的气体在所述第一腔室内螺旋旋转的方向相同地形成。
6.根据权利要求1所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,
配置有第1-1引导部,所述第1-1引导部将所述第一气体供应部的内壁的一侧与所述第一腔室的内壁的一侧倾斜地连接,以使所述第一气体供应部的内壁的一侧与连通的所述第一腔室的内壁的一侧之间不产生阶差。
7.根据权利要求6所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,
所述第1-1引导部具有曲率。
8.根据权利要求1所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,
所述气体排出口以包围所述液体排出口的方式布置,且具有环形状。
9.根据权利要求1所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,
所述第一气体供应部配置有向所述第一气体供应部的一侧方向倾斜的第1-2引导部,且越靠近所述第一腔室,所述第一气体供应部的剖面积越窄。
10.根据权利要求4所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,还包括:
第二气体供应部,相对于所述主体的中心轴线向另一侧偏心且与所述第一腔室连通。
11.根据权利要求10所述的基板清洁用双流体喷嘴,其特征在于,
所述第一气体供应部配置有向所述第一气体供应部的一侧方向倾斜的第1-2引导部,且越靠近所述第一腔室,所述第一气体供应部的剖面积越窄,
所述第二气体供应部配置有向所述第二气体供应部的另一侧方向倾斜的第2-2引导部,且越靠近所述第一腔室,所述第二气体供应部的剖面积越窄。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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