[发明专利]一种半导体材料载流子浓度的检测方法

权利要求书

1.一种半导体材料载流子浓度的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：首先在实验室内部搭建电光效应试验仪器，再将需要检测的半导体材料置于电光效应试验仪的检测筒处，并与检测筒的正负电极接口对应；

S2：选择可调节电容大小的平行板电容器，安装在检测筒处的内部，并使得半导体材料位于平行板电容器之间；

S3：选择两段式的送风管道，并将电加热丝置于两段送风管道的一端处，通过管道连接结构连接两段式送风管道；

S4：紧接着将其中一个送风管道连接鼓风机，其中另一个送风管道与检测筒的进风口连接，使得送风管道的出风能够对准半导体材料；

S5：将温度传感器安装到检测筒边角处，并使得的温度传感器的感应端与半导体材料表面接触，通过对接电路线路，使得电加热丝能够根据温度传感器温度数值的变化而调整功率大小，鼓风机也相应的调节转速快慢；

S6：将导线的一端与电光效应试验仪器的检测仪连接，导线的另一端与检测筒的正负电极接口，形成完整的电路，测量半导体材料载流子浓度即可。

2.根据权利要求1所述的一种半导体材料载流子浓度的检测方法，其特征在于：所述步骤S3中，两段式送风管道的外表面包裹有保温层。

3.根据权利要求1所述的一种半导体材料载流子浓度的检测方法，其特征在于：所述步骤S1中，半导体材料为圆柱体结构。