[发明专利]三维非易失性存储器的数据擦除验证有效
申请号: | 202110248812.8 | 申请日: | 2021-03-08 |
公开(公告)号: | CN112908389B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 李昌炫 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34 |
代理公司: | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人: | 刘莹;聂国斌 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 非易失性存储器 数据 擦除 验证 | ||
1.一种三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,所述三维非易失性存储器包括多个存储块,所述存储块包括多个层级,其特征在于,所述数据擦除验证方法包括:
在所述多个层级中选择已进行擦除操作且未进行验证操作的第一层级来进行层级擦除验证;以及
对所述第一层级施加第一局部验证电压,从而验证对于所述第一层级的所述擦除操作,
其中,所述第一局部验证电压小于全局验证电压,所述全局验证电压为对所述第一层级对应的所述存储块进行全块擦除验证时所需的电压。
2.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,其特征在于,所述三维非易失性存储器包括两个层级。
3.根据权利要求2所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,其特征在于,所述数据擦除验证方法还包括:
在所述多个层级中选择已进行擦除操作且未进行验证操作的第二层级来进行所述层级擦除验证;以及
对所述第二层级施加第二局部验证电压,从而验证所述擦除操作,
其中,所述第二局部验证电压小于所述全局验证电压。
4.根据权利要求3所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,所述第一层级为顶部层级,所述第二层级为底部层级,所述三维非易失性存储器还包括衬底,所述底部层级靠近所述衬底,其特征在于,
所述第一局部验证电压小于所述第二局部验证电压。
5.根据权利要求2所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,其特征在于,在所述多个层级中选择已进行擦除操作且未进行验证操作的第一层级的步骤之前,所述数据擦除验证方法还包括:
在所述多个层级中选择第二层级;以及
对所述第二层级进行写入操作或擦除操作。
6.根据权利要求5所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,其特征在于,
若对所述第二层级进行写入操作,则对所述第一层级施加的第一局部验证电压具有第一电压值;以及
若对所述第二层级进行擦除操作,则对所述第一层级施加的第一局部验证电压具有第二电压值,
其中,所述第一电压值大于所述第二电压值。
7.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,其特征在于,所述三维非易失性存储器包括三个层级。
8.根据权利要求7所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,其特征在于,所述数据擦除验证方法还包括:
在所述多个层级中选择已进行擦除操作且未进行验证操作的第二层级来进行所述层级擦除验证;以及
对所述第二层级施加第二局部验证电压,从而验证所述擦除操作,
其中,所述第二局部验证电压小于所述全局验证电压。
9.根据权利要求8所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,其特征在于,所述数据擦除验证方法还包括:
在所述多个层级中选择已进行擦除操作且未进行验证操作的第三层级来进行所述层级擦除验证;以及
对所述第三层级施加第三局部验证电压,从而验证所述擦除操作,
其中,所述第三局部验证电压小于所述全局验证电压。
10.根据权利要求9所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,所述第一层级为顶部层级,所述第二层级为中部层级,所述第三层级为底部层级,所述三维非易失性存储器还包括衬底,所述底部层级靠近衬底,其特征在于,
所述第一局部验证电压小于所述第二局部验证电压;以及
所述第二局部验证电压小于所述第三局部验证电压。
11.根据权利要求7所述的三维非易失性存储器的数据擦除验证方法,其特征在于,在所述多个层级中选择已进行擦除操作且未进行验证操作的第一层级的步骤之前,所述数据擦除验证方法还包括:
在所述多个层级中选择第二层级;以及
对所述第二层级进行写入操作或擦除操作。
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