[发明专利]一种外延设备监测方法和相应的外延设备监测装置

说明书

本发明实施例提供了一种外延设备监测方法和装置，所述方法包括：确定所述外延设备的当前工作状态；若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息；根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏。根据本发明实施例，监测外延设备在进行晶片处理工艺时的实际功率信息，并根据其判断反射屏是否损坏，能够有效避免在反射屏损坏的情况下继续进行晶片工艺处理给外延设备中的其他部件带来的负面影响，保护其他部件的使用寿命，进而降低外延设备的维护成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延设备监测方法和一种外延设备监测装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是一种在工艺腔室内，通过高温加热等方式，将气态反应物经化学反应生成固态物质并沉积在晶片表面的薄膜沉积技术。

加热系统在CVD设备中起着极为重要的作用，现有CVD设备采用红外加热方式，加热系统主要由红外卤素灯和镀金反射屏组成，红外卤素灯发射的红外线通过镀金反射屏的反射作用，照射在石墨托盘，对托盘进行加热并形成均匀的温场，从而实现对托盘上的晶圆进行均匀加热，以生成一层电阻率均匀的外延层。然而，镀金反射屏在使用过程中会出现表面金层脱落或表面烧黑的现象，造成反射屏反射性能变差，若在这种情况下继续CVD工艺，完成同样工艺需要的加热灯管总功率会增大，从而影响加热灯管和其他部件的使用寿命，增加机台维护成本。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种外延设备监测方法和相应的一种外延设备监测装置。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种外延设备监测方法，所述外延设备包括反射屏和加热元件，所述方法包括：

确定所述外延设备的当前工作状态；

若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息；

根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏。

可选地，所述预设工作状态包括外延状态和蚀刻状态，所述若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息，包括：

若所述当前工作状态为所述外延状态，则获取在所述外延状态下的所述加热元件的所述实际功率信息；

或，

若所述当前工作状态为所述蚀刻状态，则获取在所述蚀刻状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

可选地，所述获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息，包括：

在所述当前工作状态下，记录所述加热元件的功率值，并在所述加热元件的功率值每发生一次变化后，记录变化后的功率值；

若所述外延设备结束所述当前工作状态，则根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。

可选地，所述根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏，包括：

获取与所述当前工作状态对应的预设功率信息；

比较所述实际功率信息和所述预设功率信息，确定功率差异信息；根据所述功率差异信息判断所述反射屏是否损坏。

可选地，所述根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息，包括：

计算所述所记录的所有功率值的平均功率值，并将所述平均功率值作为在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。