[发明专利]温度控制方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种温度控制方法和等离子体处理装置。温度控制方法包括切换工序、点火工序、计算工序、第一控制工序及第二控制工序。在切换工序中，将向载置台的内部的流路供给的热介质从在进行蚀刻处理的情况下由第一温度控制部供给的第一温度的热介质切换为在进行清洁处理的情况下由第二温度控制部供给的第二温度的热介质。在点火工序中，开始供给清洁气体，并将等离子体点火。在斜率计算工序中，基于流路的出口侧的热介质的温度来计算热介质的温度变化的斜率。在第一控制工序中，控制第二温度控制部，直至流路的出口侧的热介质的温度稳定为第三温度为止。在第二控制工序中，控制第二温度控制部，以使流路的出口侧的热介质的温度成为设定值。

技术领域

本公开涉及一种温度控制方法和等离子体处理装置。

背景技术

已知在等离子体处理装置中对半导体晶圆等基板进行等离子体蚀刻。当针对基板进行蚀刻处理时，有时反应生成物附着于基板的周缘部、用于载置基板的载置台的载置面的周缘部。附着于载置面的周缘部的反应生成物(以下也称作沉积物。)有时成为阻碍载置面与基板之间的吸附的主要原因。对此，提出了通过向载置台照射自O₂气体与含氟气体的混合气体生成的等离子体来去除沉积物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-054825号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够缩短清洁时间的温度控制方法和等离子体处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的温度控制方法包括切换工序、点火工序、计算工序、第一控制工序以及第二控制工序。在切换工序中，将向设置于载置台的内部的流路供给的热介质从第一温度的热介质切换为第二温度的热介质，所述载置台被配置于等离子体处理装置的处理容器内，用于载置基板，所述第一温度的热介质是在针对基板进行蚀刻处理的情况下由第一温度控制部供给的热介质，所述第二温度的热介质是在从处理容器搬出基板后进行去除附着在被设置于载置台的上部的静电吸盘的反应生成物的清洁处理的情况下由第二温度控制部供给的热介质。在点火工序中，开始向处理容器内供给清洁气体，并将等离子体点火。在斜率计算工序中，基于流路的出口侧的热介质的温度来计算热介质的温度变化的斜率。在第一控制工序中，控制第二温度控制部，直至流路的出口侧的热介质的温度稳定为比预先设定的设定值低的第三温度为止。在第二控制工序中，控制第二温度控制部，以使流路的出口侧的热介质的温度成为设定值。

发明的效果

根据本公开，能够缩短清洁时间。

附图说明

图1是表示本公开的一个实施方式中的等离子体处理装置的一例的概要截面图。

图2是表示沉积物附着的部位的一例的图。

图3是表示有机膜的蚀刻速率的温度依赖性的一例的图。

图4是表示热介质的使用温度范围的一例的图。

图5是表示本实施方式中的温度控制装置的一例的图。

图6是表示从第一温度控制部供给热介质的状态的一例的图。

图7是表示从第二温度控制部供给热介质的状态的一例的图。

图8是表示本实施方式中的热介质的温度为设定值以下的情况下的温度控制图表的一例的图。