[发明专利]检测方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种检测方法和等离子体处理装置，能够提高对等离子体的状态、处理工艺的状态、等离子体处理装置及其零件的状态的至少任一者的监视精度。检测方法包括对下部电极供给偏置功率，并对上部电极或者下部电极供给源功率的步骤；和检测安装在腔室上的传感器的输出值的步骤，检测传感器的输出值的步骤包括(a)按偏置波形的每个周期确定偏置波形的第一相位的步骤；(b)确定第二相位的步骤，其中第二相位是从确定了第一相位的时刻起经过预先设定的第一时间后的源波形的第二相位；和(c)从确定了第二相位的时刻起经过预先设定的第二时间后进行传感器的输出值的采样的步骤，按偏置波形的每个周期反复执行(a)～(c)的步骤。

技术领域

本发明涉及检测方法和等离子体处理装置。

背景技术

例如专利文献1和专利文献2提出了一种技术，其中检测等离子体发出的规定波长的光，基于从检测到的规定波长的光提取出的信号的发光强度的变化，来检测等离子体处理的终点(end point)，使基片的处理结束。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-288921号公报

专利文献2：日本特开平9-115883号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种检测方法和等离子体处理装置，能够提高对等离子体的状态、处理工艺(process)的状态、等离子体处理装置及其零件(部件)的状态中的至少任一者的监视精度。

解决问题的技术手段

本发明的一个方案提供一种检测方法，其包括：对下部电极供给偏置功率，并对上部电极或者所述下部电极供给源功率的步骤；和检测安装在腔室上的传感器的输出值的步骤，其中，检测所述传感器的输出值的步骤包括：(a)按偏置波形的每一个周期确定所述偏置波形的第一相位的步骤；(b)确定第二相位的步骤，其中该第二相位是从确定了所述第一相位的时刻起经过预先设定的第一时间后的源波形的第二相位；和(c)从确定了所述第二相位的时刻起经过预先设定的第二时间后进行所述传感器的输出值的采样的步骤，其中，按偏置波形的每一个周期反复执行(a)～(c)的步骤。

发明效果

采用本发明的一个方案，能够提高对等离子体的状态、处理工艺的状态、等离子体处理装置及其零件的状态中的至少任一者的监视精度。

附图说明

图1是表示第一和第二实施方式的等离子体处理装置的截面示意图。

图2是用于说明第一实施方式的检测方法的模拟结果之一例的图。

图3是用于说明第二实施方式的检测方法的模拟结果之一例的图。

图4是用于说明第二实施方式的检测方法的模拟结果之另一例的图。

图5是表示发光强度的检测结果之一例的图。

图6是表示第二实施方式的等离子体处理装置的截面示意图。

具体实施方式

下面参照附图说明用于实施本发明的实施方式。在附图中，对相同构成部分标注相同的附图标记，省略重复说明。

[等离子体处理装置]

参照图1说明用于执行蚀刻处理、成膜处理等基片处理的等离子体处理装置10的结构。图1是表示第一和第二实施方式的等离子体处理装置10的截面示意图。作为等离子体处理装置10，给出为了从处理气体中激发等离子体而使用的若干等离子体生成系统之一例。