[发明专利]滤除毛刺电路有效
申请号: | 202110232332.2 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN112600539B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 任建军 | 申请(专利权)人: | 上海亿存芯半导体有限公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22;H03K19/094 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 毛刺 电路 | ||
本发明提供了一种滤除毛刺电路,包括信号变化检测模块,用于接收输入信号,然后根据所述输入信号输出控制信号;电流产生模块与所述信号变化检测模块连接,用于根据所述控制信号判断是否输出偏置电压;毛刺消除主模块,与所述电流产生模块连接,用于接收所述输入信号和所述偏置电压,在所述偏置电压的控制下,消除所述输入信号中的毛刺,在所述偏置电压的控制下,消除所述输入信号中的毛刺,能够大大节省芯片面积,且信号变化检测模块用于接收输入信号,然后根据所述输入信号输出控制信号,能够有效避免电流产生模块产生静态功耗。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种滤除毛刺电路。
背景技术
集成电路在使用时,外部输入信号可能会受到干扰,受到干扰的输入信号会让电路产生错误的行为或得到错误的数据。
对于宽电源电压应用电路,消除干扰的解决办法通常是输入信号的上升沿和下降沿分别做延时,用以滤除特定宽度范围内的毛刺(glitch),毛刺即输入信号受干扰产生的错误信号。
图1为现有技术中的上升沿延时电路,参照图1,M1为PMOS管,M2为NMOS管,M3是弱PMOS管,M4的沟道宽度远远大于沟道长度的PMOS管R为电阻,C为电容,假设输入信号IN初始为低电平,Vf为高电平,当IN变为高电平,M1关闭,M2打开,Vf通过电阻协防电流,电压开始下降,下降时间有电容和电阻的乘积决定,当Vf的电压下降到M4的阈值电压后,输出信号OUT才会翻转为高电平。
而对于下降沿的延时,可以将IN反向后输入图1的电路中,也可以将图1中的电阻R串接到Vf和M1的漏端之间,M3改为强PMOS管,M4改为弱NMOS管,形成如图2所示的下降沿延时电路。
现有技术中,将上升沿延时电路和下降沿延时电路结合在一起,可以滤除一定宽度范围内的毛刺,但毛刺宽度越大,电路占用的面积就越大,从而增加芯片的硬件开销。
公开号为CN103441750A的中国发明专利公开了一种高低压区信号传输系统,包括:逻辑产生电路、第一延时产生电路、第二延时产生电路、脉冲采沿电路、高低压区信号传输电路、毛刺滤波电路、状态锁存电路、上桥输出驱动电路及下桥输出驱动电路;状态锁存电路分别连接毛刺滤波电路及上桥输出驱动电路,状态锁存电路接收第一高电平时,状态锁存电路控制开启所述上桥输出驱动电路;接收第二高电平时,控制关闭所述上桥输出驱动电路。下桥输出驱动电路,根据所述第二延时控制信号开启及关闭。因而,上述高低压区信号传输系统能够降低功耗,且内置死区时间后,简化了电路,提高了抗干扰能力,使得高低压区信号传输更为可靠。该申请中将上升沿延时电路和下降沿延时电路结合在一起,但毛刺宽度越大,电路占用的面积就越大,从而增加芯片的硬件开销。
因此,有必要提供一种新型的滤除毛刺电路以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种滤除毛刺电路,以节省芯片面积。
为实现上述目的,本发明的所述滤除毛刺电路,包括:
信号变化检测模块,用于接收输入信号,然后根据所述输入信号输出控制信号;
电流产生模块,与所述信号变化检测模块连接,用于根据所述控制信号判断是否输出偏置电压;以及
毛刺消除主模块,与所述电流产生模块连接,用于接收所述输入信号和所述偏置电压,在所述偏置电压的控制下,消除所述输入信号中的毛刺。
所述滤除毛刺电路的有益效果在于:电流产生模块与所述信号变化检测模块连接,用于根据所述控制信号判断是否输出偏置电压,毛刺消除主模块与所述电流产生模块连接,用于接收所述输入信号和所述偏置电压,在所述偏置电压的控制下,消除所述输入信号中的毛刺,能够大大节省芯片面积,且信号变化检测模块用于接收输入信号,然后根据所述输入信号输出控制信号,能够有效避免电流产生模块产生静态功耗。
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